P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制

报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。

微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究

介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。

1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．

高分辨率地震资料解释方法在龙201井区开发地震中的应用及效果

随着高分辨率地震勘探技术的提高，地震勘探的精度也越来越高。在大庆探区内，地震资料处理在高保真的情况下，中浅层资料的主频已达到50HZ以上，视频在70Hz以上，分辨率较常规二维地震资料提高一倍多。因此，资料解释方法也不同于常规二维地震资料解释方法，正向高、精、细的方向发展。高分辨地震资料解释方法在实际生产中取得了满意的应用效果。

千瓦级LDMOS大功率器件研制

南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。

S波段100W硅脉冲功率晶体管

报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。

530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管

报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对准工艺等技术，在上述频带内，连续波，28V工作电压下，静态电流50mA，该器件输出功率达20w，效率达49％，增益大于7．5dB。

C波段3瓦T形电极硅双极晶体管

本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%.

C波段3W硅功率晶体管

C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作频率提高到C波段时,晶体管的频率和功率性能发生尖锐的矛盾。晶体管的输出功率、增益和效率随着工作频率的升高而急剧下降。这给器件的研制带来了很多困难,国内长期无法解决。南京电子器件研究所采用T形发射极自对准结构,用φ75mm硅片研制成功C波段硅功率管。晶体管的E-B金属电极横向间距几乎为零。发射极扩散层和基极接触窗口的间距约0.4μm。这种T形电极晶体管(TSET)对光刻工艺精确度的要求不很苛刻。测试结果表明,晶体管在4.2GHz时,连续波输出功率大于3W,增益大于8dB,集电极效率大于40％。晶体管作振荡应用时,在4.3GHz下振荡输出功率可达1W,直流—射频转换效率可达20％。

4.2GHz2W硅功率晶体管

硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是:

P波段1500W GaN功率管设计

报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。功率管内部采用预匹配设计,外部电路采用同轴巴伦线和推挽电路来匹配。测试结果表明,在415~485MHz、工作电压50V、工作脉宽300μs,工作比10%的条件下,全带内实现1 500 W输出,附加效率大于71%,器件抗驻波比大于5∶1。

2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管

针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。