MgO·1.15Ga_(2)O_(3)陶瓷的晶体结构、振动谱及本征介电性能

合成了颗粒均匀细小的单相MgO·1.15Ga_(2)O_(3)尖晶石粉体,通过无压预烧结合热等静压烧结制备出致密陶瓷。采用X射线Rietveld全谱拟合法确定其晶体结构为(Mg_(0.118)Ga_(0.882))^(IV)[Mg0.781Ga_(1.185)□_(0.033)]^(VI)O_(4)(□为空位),用Raman光谱与红外反射光谱研究了晶体结构、声子振动模与本征介电性能的关系。结果表明:MgO×1.15Ga_(2)O_(3)陶瓷的介电常数ε_(r)=13.21,品质因子Qu×f=166 THz,且[Mg—O]多面体振动基团的声子振动模对振子强度和本征介电损耗影响较大。晶格声子振动模对本征介电损耗也有不容忽视的影响。