掺入稀土元素有望实现半导体量子点的尺寸可调的光谱吸收与稀土离子窄的发射峰的有效利用.利用高温成核法合成出EuxZn1-xS:Mn(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1)核壳量子点.X射线衍射结果表明,不同Eu3+掺入量的量子点样品为闪锌矿结构;X射线...掺入稀土元素有望实现半导体量子点的尺寸可调的光谱吸收与稀土离子窄的发射峰的有效利用.利用高温成核法合成出EuxZn1-xS:Mn(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1)核壳量子点.X射线衍射结果表明,不同Eu3+掺入量的量子点样品为闪锌矿结构;X射线光电子能谱结果表明,在1120~1180 e V之间存在Eu3+的3d3/2和3d5/2峰.光致发光谱和时间衰减曲线表明,随着Eu3+掺入量增加,发光强度和荧光衰减寿命呈现出先增强后减小的趋势,Eu3+和Mn2+之间存在偶极子—偶极子相互作用的无辐射能量传递过程.展开更多
文摘掺入稀土元素有望实现半导体量子点的尺寸可调的光谱吸收与稀土离子窄的发射峰的有效利用.利用高温成核法合成出EuxZn1-xS:Mn(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1)核壳量子点.X射线衍射结果表明,不同Eu3+掺入量的量子点样品为闪锌矿结构;X射线光电子能谱结果表明,在1120~1180 e V之间存在Eu3+的3d3/2和3d5/2峰.光致发光谱和时间衰减曲线表明,随着Eu3+掺入量增加,发光强度和荧光衰减寿命呈现出先增强后减小的趋势,Eu3+和Mn2+之间存在偶极子—偶极子相互作用的无辐射能量传递过程.