机电安装工程电气施工工艺及控制管理分析

本文针对某工业园区详细探讨了电气施工准备阶段的关键步骤,重点分析了电缆敷设与接线工艺的技术要点,包括敷设施工技术要点以及接线工艺的质量控制。讨论了电气设备安装流程、调试方法与标准以及常见问题的解决方案。最后总结了电气施工质量控制管理的策略,包括质量管理体系的构建、施工过程监控和质量事故的预防与处理。

STM图像的理论模拟

本文简要综述了STM基本理论和模拟方法 ,着重介绍了我们的一些工作 ,构造团簇模型和采用第一性原理方法 (DV LDF) ,模拟出不同取向C60 和它吸附在金属和半导体表面的STM图像 。

单分子吸附在Cu(100)表面上的振动谱及其STM图像模拟

本文利用第一性原理方法对乙炔 (C2 H2 )、苯 (C6H6)和吡啶 (C5H5N)及其离解物 (CCH、C6H4和C5H4 N等 )吸附在Cu( 1 0 0 )表面时C—H伸缩振动频率进行了理论计算 ,同时还计算了H被D替代时的C—D伸缩振动频率 ,理论计算结果与STM IETS给出的测量值相当吻合。基于Tersoff Hamann理论模型 ,本文还模拟出这些小分子吸附在Cu( 1 0 0 )表面的STM图像 。

单分子物理与化学的新进展

本文对新兴边缘学科-单分子物理与化学的一些研究进展进行简要综述。在对单分子科学中几类基本实验技术如扫描隧道显微术和光镊技术等作了简要介绍之后,重点评述了单分子实验技术和研究方法在物理、化学、生物和分子电子学等学科领域的应用和影响。基于扫描隧道显微术和电子结构计算,列举了最近几个关于单分子高分辨表征、单分子器件和单分子量子调控等方面的研究实例。最后对单分子物理与化学的发展前景进行了展望。

钴酞菁分子结中电子输运性质的理论研究

利用半经验ExtendedH櫣ｃｋｅｌ分子轨道方法和格林函数方法来研究钴酞菁 (CoPc)分子结的电子输运性质。计算结果表明分子结 (器件 )电子输运性质对分子本身的电子结构、电极不同晶向表面、分子与电极间耦合强度、其界面的几何构型 ,对电极表面接触分子的末端原子的种类等诸多方面都有不同程度的依赖关系。对于CoPc这类弱耦合分子结而言 ,可以通过测量其I V曲线来研究分子本身的电子结构。本文的理论方法不仅可以用来描述分子器件的电子输运行为 ,还能用来研究扫描探针显微镜体系的伏安特性和扫描隧道谱。

C_(60)在Ag(111)表面的STM图像理论模拟

本文利用离散变分和局域密度泛函（ＤＶ－ＬＤＦ）方法，通过计算Ｃ６０／Ａｇ（１１１）的电荷密度分布图，即模拟出该体系的ＳＴＭ图像，并详细地研究了体系的电子结构。结果表明该体系中有２．３２ｅ自金属表面Ａｇ原子向Ｃ６０转移。外电场的极性对图像影响很大，在正偏压情形，ＬＵＭＯ电荷密度分布图为三个五边形围成而呈三叶状，反映的是体系中吸附分子的对称性，且隧道电流主要来自单键。而ＨＯＭＯ电荷密度分布图具有三重对称性。这与实验上观测的ＳＴＭ图像定性上一致。

Au(111)表面单个钴酞菁分子的去氢过程

利用低温超高真空扫描隧道显微镜对单个钴酞菁分子实现了选键化学反应.通过对吸附于Au(111)表面的单个钴酞菁分子外围H原子的“剪裁”,并用实验图像和谱学方法,结合第一性原理理论计算研究了逐步去除钴酞菁分子8个外围H原子的过程.理论计算结果再现了实验中所观测到的分子空间构型的变化,并阐明了吸附体系中局域自旋的恢复和变化过程.

单分子器件电子输运性质的理论研究

对当前单分子器件的理论和实验的研究进展作了简短评述,并简要介绍电子输运理论,最后给出一个基于非平衡态格林函数电子输运理论的全自洽方法,研究单个水分子在Au(111)电极之间的输运性质的计算实例.研究结果表明由于水分子与电极之间存在较强的杂化作用,水分子的分立能级间距大,在小偏压范围内,水分子的特征已经被淹没在杂化能级之中.体系的电势变化主要发生在水分子局域区间,其电子输运行为主要是一个单通道过程.

富勒烯的理论研究

在对中国富勒烯领域的理论研究现状作简要评述之后,侧重介绍本课题组近几年来在富勒烯结构、稳定性、取代型掺杂富勒烯、内嵌金属富勒烯等方面的理论研究工作。最后简述富勒烯的应用,并给出对富勒烯及其相关领域的理论研究的几点初步看法。

表面单分子的表征和操纵

本文对国内外表面单分子的表征和操纵的研究概况进行了简短评述,重点介绍了我们的一些基础研究结果,结合扫描隧道显微术和电子密度泛函理论模拟,在单分子C60的高分辨表征、C60在Si表面的吸附取向、富勒烯分子Dy@C82的空间和能量分辨、Pd纳米颗粒的无序抑制量子限域效应,制备基于C60的负微分电导和C59N的分子整流器件及单个CoPc分子自旋性质的调控等方面取得一些较重要的进展。

Au(111)表面自组装硫醇单分子膜的STM成像机理

本文利用基于密度泛函理论的算法模拟Au(1 1 1 )表面紧密堆构型的烷烃硫醇自组装单分子层膜 (SAMs)中单分子的扫描隧道显微镜 (STM)图像 ,发现图像细节依赖于偏压和烃链链长 ,主要由受电子效应影响的形貌效应决定。同时进行了电子结构分析以研究硫醇SAMs的STM成像机制 。

可控单键生成和表征的第一性原理研究

WilsonHo等人利用扫描隧道显微镜 (STM)针尖对吸附在Ag( 1 1 0 )表面的Fe、Cu原子和CO分子进行操纵 ,并让一个或两个CO分子与金属原子成键。本文使用团簇模型对此体系进行了密度泛函研究 ,得到体系吸附构型 ,模拟其STM图像 ,并计算出了实验测量到的振动频率 ,同时预言了CO在另外四种金属表面的吸附构型和C—O伸缩振动频率。这六种金属可以按照其d轨道是否充满分为两类 。

简易塑料大棚电热温床的设置

电热温床是指利用电热加温的苗床。对温度条件要求较高的茄类和瓜类等蔬菜常采用电热温床育苗。因为此法可以保持比较高的、相对稳定温度，具有育苗快、成功率高和壮苗率高的的特点，还可以达到早熟和增产的效果。眼下又到了冬季育苗季节，下面就蔬菜大棚电热温床育苗的设置简介如下，但愿能给广大菜农朋友以帮助。

磷烯基二维范德瓦尔斯异质结的理论表征（英文）

本文基于单层黑磷和蓝磷,理论设计出二维范德瓦尔斯异质结、能带结构、态密度、Bader电荷布局、电荷密度差分图及光吸收谱等,计算结果表明它是典型的第二型异质结,有利于光生载流子分离,且可见光捕获能力显著增强.内禀的界面极化电场能有效阻止光生电子-空穴的复合.表明磷烯基二维范德瓦尔斯异质结是一类性能优异的光解水催化剂.

纳米SiO_2在涂料中的应用研究

介绍了纳米材料的一般特性,重点介绍了纳米SiO2的结构特征及其对传统涂料的改性作用。指出了纳米材料应用于涂料领域需重点解决的几个关键问题,并展望了纳米改性涂料的未来。

氧空位对共掺型锐钛矿TiO2能带结构的影响

基于电子密度泛函理论计算，系统研究了氧空位对V—C（p型）、Cr—N（n型）、V—N和Cr—C（电中性）四种共掺型锐钛矿TiO2的几何和电子结构的影响．结果表明在最稳定构型中氧空位处在与金属杂质原子相连的位置．由于氧空位的出现，共掺Ti02禁带中一些未占据的杂质态被填充满电子，掺杂体系的导带带边位置几乎不变，这有利于减少光生载流子复合，且不影响光解水过程中的产氢反应，在厌氧条件下很容易在V—N共掺TiO2中引入氧空位．

TiY2N@C80电子结构的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了TiY2N@C80分子的几何、振动和电子性质．理论计算结果表明TiY2N@C80分子的电子结构性质明显与Sc3N@C80和Y3N@C80的不同，而与TiSc2N@C80相近．对TiY2N@C80分子进行载流子掺杂时，其磁性发生淬灭．此外，对C80笼子进行吡咯烷化学修饰，可以有效增加内嵌团簇的旋转势垒的高度，使得内嵌团簇在碳笼内更加稳定．

SnPc在Ag（111）表面吸附特性的第一性原理研究

采用第一性原理研究了SnPc分子在Ag（111）表面的吸附构型和电子结构．Sn-up和Sn＋down两种优化的吸附构型与实验测量结果非常吻合，SnPc以Sn—down构型吸附在Ag（111）表面显得更稳定．Sn原予在两种吸附构型之间转换所需要能量与转换方向有关，由Sn—up向Sn—down构型转换时需翻越一个1．68eV的能垒，反之需要2．17eV．扫描隧道显微镜理论模拟图像给出实验观测结果的主要特征，Smup分子的中心处为一个亮斑，而Sn-down分子中心为一个空洞．计算结果验旺了实验提出的Sa原子吸附位置的转换机理．

g-C3N4／SnS2异质结构：一类有潜力的光解水催化剂

采用第一性原理方法研究了层间耦合作用对g-C3N4／SnS2异质结构的电子结构和吸光性质的影响．发现g-C3N4／SnS2是一类典型的范德瓦异质结构，能有效吸收可见光，其价带顶和导带底与水的氧化还原势匹配，且由于电荷转移而导致的界面处极化场有利于光生载流子的分离．这些理论研宄结果表明g-C3N4／SnS2异质结构是一类非常有潜力的光解水催化材料．

含氮-空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带中负微分电阻和自旋过滤效应

采用第一性原理和非平衡格林函数方法，系统研究了含氮空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带的自旋极化输运特性．理论计算结果表明边界非对称的这类石墨纳米条带的基态具有铁磁性，由其构建的分子结中负微分电阻效应具有鲁棒性，是电极局域的态密度及依赖偏压的散射区-电极耦合作用结果．此外，在特定偏压区域还观察到几乎完美的自旋过滤效应．