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磁性隧道结Fe/MgO/Fe(001)的磁性及界面电子结构
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作者 童六牛 李泰 +2 位作者 夏爱林 胡锦莲 李赞揆 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1166-1170,共5页
采用分子束外延技术在GaAs(001)-4×6衬底上外延出Fe/MgO/Fe(001)单晶磁性隧道结.原位表面磁光Kerr效应(SMOKE)测量表明:当外磁场沿[1(?)0]方向时,隧道结的SMOKE回线具有典型的双矫顽力特性.下电极Fe层的矫顽力(约为20mT)约是上电... 采用分子束外延技术在GaAs(001)-4×6衬底上外延出Fe/MgO/Fe(001)单晶磁性隧道结.原位表面磁光Kerr效应(SMOKE)测量表明:当外磁场沿[1(?)0]方向时,隧道结的SMOKE回线具有典型的双矫顽力特性.下电极Fe层的矫顽力(约为20mT)约是上电极Fe层矫顽力(约为1mT)的20倍.矫顽力的增强主要被归结为MgO/Fe(001)界面对下电极铁磁层的钉扎作用.自旋分辨的光电子能谱测量表明:在MgO覆盖到Fe(001)表面后,Fe(001)Fermi面的自旋极化率P由负值转变为正值.P值符号的改变被归结为MgO/Fe(001)界面电子自旋结构的改变. 展开更多
关键词 Fe/MgO/Fe 外延生长 磁性隧道结 矫顽力 自旋极化率
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