背接触电池的细栅线工艺分析

阐述不同细栅线间距和细栅线横截面积在背接触电池上对效率的影响。通过实验验证,确定细栅线间距需要进行不断缩小、密化,细栅线的横截面积需要不断增加、宽化,获得优异的电池效率。

背接触电池的低温主栅工艺分析

阐述主栅材料、电极结构和烘干工艺方面对背接触电池的影响,通过优化相关参数实现背接触电池的高转换效率,从而获得成本较低、生产节奏较快、效率更优的主栅工艺,促进生产发展。

基于POLO钝化接触结构的晶硅电池技术及其研究进展

多晶硅氧化物(POLO)结构是在晶硅表面依次生长一层极薄的界面氧化层与多晶硅层所形成的钝化接触结构。基于POLO结构的钝化接触技术不仅能够获得优异的表面钝化特性,而且避免了金属与晶硅表面的直接接触,极大地降低了金属与晶硅表面的接触复合。目前应用POLO钝化接触结构制作的小面积晶硅太阳能电池转换效率高达26.1%,制作的大面积晶硅太阳能电池产业化效率已经超过24.5%。同时POLO钝化接触技术应用于晶硅电池的制作可以承受高温工艺,兼容现有的晶硅电池产业化设备,是未来极具产业化潜力的钝化接触技术方案。本文主要综述了POLO钝化接触结构中载流子的传输机理及相应的量化参数表征方法;对比了POLO结构制备中界面氧化层生长、多晶硅层的沉积、掺杂及氢化处理的方法;总结了多晶硅层的寄生吸收效应、晶硅表面形貌结构、掺杂浓度分布对POLO结构钝化接触特性的影响;简述了POLO钝化接触技术的研究进展及当前POLO电池制作面临的技术难点。

扩散轻掺杂方块电阻的均匀性研究

本文通过研究了选择性发射极电池的工艺原理,不同设备制备的高方阻硅片的片内均匀性,并且在均匀性对电性能的影响。扩散方块电阻的均匀性对太阳电池的电性能至关重要,不仅影响到电池的转换效率,还影响到电池效率的分布,为解决轻掺杂区方块电阻的均匀性这个难点,需要使用低压扩散设备,对扩散时间,气体流量和工艺压力进行调节,然后进行工艺制作,会得到均匀性较好电性能的电池片。

n型IBC太阳电池金属化工艺研究

为了提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用激光接触开孔技术在电池上形成接触区域,然后印刷银浆烧结形成电极。研究了不同激光开孔图形对IBC电池电极接触电阻和金属复合的影响。制备了相应的IBC电池以对比电性能。实验结果表明,采用的圆点开孔图形的面积占比在30%时,电池发射极和背表面场的接触电阻分别为2.09和1.62Ω·cm~2,金属接触暗饱和电流密度分别为692.5和1 416.1 fA/cm~2,制备的IBC电池最高光电转换效率达到24.30%,平均光电转换效率达到24.20%,对应的短路电流为11.808 A,开路电压为0.697 V,填充因子为80.61%。

n型IBC太阳电池选择性背表面场工艺

为进一步提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用激光掺杂方式形成选择性背表面场结构,研究了磷扩散和激光掺杂工艺对IBC太阳电池钝化性能和接触性能的影响。实验结果表明,在磷扩散的沉积和退火阶段均通入POCL3,且退火温度为680℃、激光掺杂功率为30 W时,重掺杂区域的隐开路电压平均值能够保持在695 mV,暗饱和电流密度为17 fA/cm^(2)。未激光掺杂区域的隐开路电压平均值达到715 mV,暗饱和电流密度为10 fA/cm^(2)。在面积为274.15 cm^(2)的n型单晶硅片上制备的IBC太阳电池最高光电转换效率达到24.37%,平均光电转换效率达到24.25%,对应的短路电流为11.661 A,开路电压为0.701 V,填充因子为81.33%。

一种基于传统工艺的晶硅电池提效方案研究

从扩散、烧结和丝网印刷图形三方面对晶硅电池的电性能参数的影响进行研究,通过实验分析得出提升晶硅电池效率的工艺方向。通过栅线图形线宽不细化来避免印刷质量问题的困扰,最终通过优化扩散和烧结工艺匹配网版图形密化设计的工艺方案制备具有低表面浓度和高印刷质量的晶体硅光伏电池。在标准测试条件下测试,该方案制备的晶硅电池片开路电压Uoc和短路电流Isc分别获得了1mV和50mA的提升,光伏电池的效率提升0.15%以上。