一种快速实现时序收敛的设计方法

为了解决处理器时序收敛困难和设计时间长的问题,本文基于14 nm的定制化处理器(WS_CPU)提出了一种高效可靠的设计方法:(1)基于一种新型的FCHT(Flexible Configurable H-Tree)时钟结构,实现时钟信号均匀分配和减少绕线时间,同时采用CCOPT(Clock Concurrent Optimization)技术进行时钟树综合优化;(2)在综合阶段采用DCG(Design Compiler Graphical)模式和门控时钟插入技术,提前评估设计风险从而减少布局布线的迭代时间。验证结果表明,当WS_CPU时钟频率为1 GHz时,寄存器之间建立时间的时序余量为108 ps,有效地实现了时序快速收敛,同时FCHT结构相比传统平衡树、柔性H树、3级H树的芯片总功耗分别减少了7.71%、6.18%、7.87%;FCHT时钟结构相比传统平衡树在时序修复上节省了3156 min,相比柔性H树节省了5220 min的时序修复时间,缩短了芯片的设计周期。

6.5~10 GHz超宽带低噪声放大器的抗干扰设计

本文基于SMIC 28 nm CMOS工艺设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),并提出了一种新型的LC串并联两级滤波结构.通过利用滤波器极点补偿LNA带内增益的设计方法,合理设计滤波负载等效电路的极点,使其略高于零点频率,在保证了LNA通带增益和噪声的情况下提高了滤波深度.对所设计的LNA进行了EMX建模及仿真验证.结果表明,该LNA在6.5~10 GHz的工作频带内,S_(21)高达21.17~25.28 d B,S_(11)小于-10.58 d B;S_(22)小于-11.20 d B,带内噪声系数仅为2.14~2.51 d B;带阻滤波器在5.8 GHz处可提供-35.45 d B的噪声抑制;在0.9 V供电电压下,LNA的静态功耗仅为9.36 m W.

生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光(PL)谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,1030,1060℃的SiCGe薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31eV处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对SiCGe薄膜带隙的调节作用。同时,对SiCGe薄膜进行了变温PL测试,发现当测试温度高于200K时,发光峰呈现出蓝移现象。认为这是不同机制参与发光所造成的。

SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构

用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同:球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.

SiC衬底上SiCGe薄膜的岛状机理分析

对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析.SiCGe薄膜具有球形岛和三角形层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角形层状堆叠岛则为闪锌矿型结构.认为球形岛是Ge富集后,高温析出形成的,而三角岛则是堆垛层错形成四面体的露头.生长温度的变化会引起球形岛和三角岛的相互转变,其原因主要有两方面:一方面,高温时,立方SiC相比SiCGe相更为稳定,随着温度的升高,SiCGe相逐渐向SiC相转变,替位式的Ge原子的数量会有所下降,从而使SiCGe外延层和SiC衬底间的晶格失配度减小,于是薄膜的生长模式由3D岛状变为2D生长,仅仅靠产生三角形堆垛层错释放失配应力;另一方面,生长温度越高,原子能量就越大,达到理想位置的原子比例越高,就会表现出材料本身的结构特征,而面心立方的{111}面上这种结构特征的体现就是三角形堆垛层错的产生.

SiC衬底上SiCGe薄膜组分、结构的测试与综合分析

采用低压化学气相沉积法在6H-SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析,研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征,讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系,为进一步改善薄膜的性能提供了依据。结合XPS和XRD综合分析可知,薄膜中Ge、C组分高达30.86%和9.06%,确为SiCGe相,并不是SiGe和SiC的简单结合。测试发现,SiCGe多晶薄膜为立方结构,在〈110〉和〈310〉方向上择优生长。

排列组合解题中的转化与对应

一、从数图形谈起: 引例:右图中共有多少个矩形? 分析:本题完成一件事指的是数出图中矩形的个数.可以分类完成,但要注意不重不漏.……

试谈天津高考数学试卷

一、试卷特点 1.试卷结构略有变化 2005年天津卷与2004年相比有一点变化,选择题、填空题、解答题个数分别为10,6,6和12,4,6.由于选择题可以用排除法、特殊化、估值法、极端法等方法,在考查学生的逻辑推理能力、准确计算能力方面有一定的欠缺.所以这种调整有利于考查学生对数学知识的理解.不过与北京、上海相比,此步迈得较小.

一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析

PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗.为了进一步研究这种新型调制器结构的调制机理,本文从单异质结能带理论出发,定量分析了该新型结构中双异质结的势垒高度变化,给出了双异质结势垒高度的定量公式;将新型结构与SiGe-OI和SOI两种PIN电学调制结构进行能带对比,分析了该新型结构载流子注入增强的原因;最后模拟了新型结构的能带分布,以及能带和调制电压与注入载流子密度的关系.与SiGe-OI和SOI两种PIN电学调制结构进行对比发现,1 V调制电压下,新型结构的载流子密度达到了8×10^(18)cm^(-3),比SOI结构的载流子密度高了800%,比SiGe-OI结构的载流子密度高了340%,进一步说明了该新型结构的优越性,并且验证了理论分析的正确性.

羊毛纤维表面处理的拉曼光谱研究

结合轻碱洗毛法、中性洗毛法和超声助剂洗毛法,设计出一个表面处理工艺.该工艺既能减少资源的浪费,又可缩短洗毛时间.对羊毛的表面处理工艺流程主要分为润湿、洗涤、超声波空化、炭化4步,实验证明该方法简单、快捷,洗毛干净.在工艺流程的最后应用拉曼光谱仪对羊毛纤维表面结构进行检测、分析,确定了洗毛工艺中润湿阶段的最佳温度和炭化过程的最佳时间.结果表明,润湿阶段的最佳温度为60℃左右,炭化时烘焙的最佳时间在25 ～ 30 min之间.

高考数学命题应有创新意识、精品意识

1问题的提出 每年的高考全社会都关注，高考试题更是广大中学教师关注的热点和亮点．2004年，高考改革进一步深化，除全国统一命题外，另外11个省市单独命题．如此改革是喜是忧？抑或忧喜参半？新增省市单独命题的准备是否充足？仅从2004年天津市数学高考试卷来看，结论显然是令人堪忧．

2007年高考概率统计试题剖析及2008年命题预测

年年岁岁卷相似，岁岁年年题不同，鸟瞰2007年高考，共19套试卷，其中有全国卷（Ⅰ）、（Ⅱ）及18个省市单独命题卷（海南与宁夏用同一份试卷），真是异彩纷呈，绚丽多姿，令人眼花嘹乱，目不暇接，特别是除有些省市所用教材不同，如人教版、苏教版、北师大版等外，更有教育改革正如火如荼的广东、山东、海南、宁夏等．

The word problems solving（问题解决）

首先，要仔细地阅读题目中的每一个词，使得你确实弄懂题目中的已知条件和所问的问题是什么，那么，问题就可以很容易使用方程求解。

Elimination by addition or subtraction after equalizing coefficients加减消元法

If the given equations are such that the coefficients of one of the variables are numerically equal in both equations,it is possible to eliminate the variable by addition or subtraction.假设已知的两个方程中有一个变量的系数相等，那么就可以用加法或减法消去一个变量．

从一道英语竞赛题谈起

英语竞赛试卷中的“常识与智力”一题，经常选择一些饶有趣味能激起学生思维火花的题目，其中不乏与数学知识、数学思想方法结合的题目，这种跨学科的题目极易引起学生兴趣和求知探索的欲望，对培养学生的观察分析能力、逻辑推理能力均十分有益．

饰核瓷厚度比对IPS e.max全瓷冠透光度的研究

目的：比较不同核瓷饰瓷厚度配比对IPS e．max全瓷冠透光度的影响，为临床上全瓷冠的美学修复提供参考依据。方法：IPS e．max冠加工工艺中，其核瓷饰瓷厚度配比分别为1：4、1：2、1：1、2：1和4：1（n=60），利用minolta色度计测量试件，采用CIE-1976-L—a b颜色系统表色，每个试件的颜色参数L＊a＊b＊值重复测量3次，记录平均值为该试件的最终色度值。结果：1：4组遮色性能最差，4：1组遮色性能最好，随组分比例增加，遮色性能增大。5组之间的L＊、a＊、b＊值比较，差异均无统计学意义（P〉0．05）。但1：2～4：1（△E=1．59）、1：4～4：1（△XE=1．82）的色差比较，差异有统计学意义（P〈0．05）。结论：基底瓷饰面瓷厚度配比对IPSe．max全瓷冠的遮光度有影响，当核瓷（LT）厚度最少达到1．20mm才能遮住较深颜色的背景色。

代数

在社会实践中，人们已经学会抽象地去思考问题，以便能够较好地了解他周围的世界。在这里，代数给了我们研究这些是如何发生的很好的例子。

6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究

以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0·4362nm.

Al掺杂6H-SiC铁磁性研究(英文)

使用物理气象沉积法生长了轻Al掺杂6H-SiC样品,并使用超导量子干涉磁强计(SQUID)对无腐蚀及腐蚀后的样品进行了测试,发现了腐蚀后的样品在室温下表现出铁磁性。经过计算,样品磁信号并非来源于腐蚀剂KOH及K2CO3。同时腐蚀后的样品形貌表明杂质聚集在腐蚀后的缺陷附近从而形成了一定的铁磁性,因此缺陷被腐蚀放大是样品形成铁磁性的主要原因。