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基于28nm工艺下的LVDS发送器设计
1
作者
罗庆红
刘怡俊
+3 位作者
叶剑科
陶永耀
阳昕
李邵川
《现代计算机》
2017年第9期38-41,共4页
在对LVDS发送器电路的基本原理与结构研究的基础上,设计一种高速低电压差分信号(LVDS)发送器电路。电路采用台湾积体电路制造公司(TSMC)的28nm HKMG工艺设计实现,采用一种新型的数据同步采样设计。仿真结果表明,该发送器电路在电源电压...
在对LVDS发送器电路的基本原理与结构研究的基础上,设计一种高速低电压差分信号(LVDS)发送器电路。电路采用台湾积体电路制造公司(TSMC)的28nm HKMG工艺设计实现,采用一种新型的数据同步采样设计。仿真结果表明,该发送器电路在电源电压为3.1V的工作条件下,有发送端匹配电阻存在的情况下,发送器在单端输出摆幅400m V的情况下消耗平均功率为39m W。
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关键词
LVDS
数据传输
发送器
采样
锁相环(PLL)
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职称材料
题名
基于28nm工艺下的LVDS发送器设计
1
作者
罗庆红
刘怡俊
叶剑科
陶永耀
阳昕
李邵川
机构
广东工业大学
炬芯(珠海)科技有限公司
熠芯(珠海)微电子研究院有限公司
出处
《现代计算机》
2017年第9期38-41,共4页
基金
广东省和广州市科技项目(No.2016B090904001
No.2016B090918126
+3 种基金
No.2014B090901061
N2015B090901060
No.2015B090908001
No.2014Y2-00211)
文摘
在对LVDS发送器电路的基本原理与结构研究的基础上,设计一种高速低电压差分信号(LVDS)发送器电路。电路采用台湾积体电路制造公司(TSMC)的28nm HKMG工艺设计实现,采用一种新型的数据同步采样设计。仿真结果表明,该发送器电路在电源电压为3.1V的工作条件下,有发送端匹配电阻存在的情况下,发送器在单端输出摆幅400m V的情况下消耗平均功率为39m W。
关键词
LVDS
数据传输
发送器
采样
锁相环(PLL)
Keywords
LVDS
Data Transmission
Transmitter
Sampling
Phase-Locked Loop
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于28nm工艺下的LVDS发送器设计
罗庆红
刘怡俊
叶剑科
陶永耀
阳昕
李邵川
《现代计算机》
2017
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