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题名稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究
被引量:7
- 1
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作者
李锡森
马书懿
孙小菁
蔡利霞
李勇
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机构
西北师范大学物理与电子工程学院
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期1108-1110,1114,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60276015)
教育部科学技术研究资助项目(204139)
甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)
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文摘
采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土钇(Y)元素。用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性。多孔硅样品在440nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰位于620nm,认为其来源于Si-O复合物的发光中心;多孔硅样品在390nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰分别位于527和576nm,并且用量子限制/发光中心模型加以解释。钇掺杂多孔硅样品的光致发光强度明显增强,并且在484nm附近出现新的发光峰。分析结果认为,这是由于钇的掺入,在多孔硅禁带中形成了新的表面能级,从而形成新的发光中心的结果。
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关键词
多孔硅
稀土钇掺杂
光致发光
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Keywords
porous silicon
rare earth yttrium doping
photoluminescence
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分类号
O734
[理学—晶体学]
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题名衬底温度对低功率直流磁控溅射ZnO薄膜特性的影响
被引量:4
- 2
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作者
蔡利霞
马书懿
李伟
李锡森
李勇
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机构
西北师范大学物理与电子工程学院
河南师范大学物理与信息工程学院
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1279-1282,共4页
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基金
国家自然科学基金(60276015)
甘肃省自然科学基金(0710RJZA105)
甘肃省高分子材料重点实验室开放基金(KF-05-03)
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文摘
采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,合适的村底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱(PL),观察到波长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及527nm左右微弱的绿光峰,随村底温度升高,样品的PL谱中蓝光强度都明显增大,低功率溅射对其蓝光发射具有很重要的影响。综合分析得出440nm左右的蓝光发射应与Zn;有关,485nm附近的蓝先发射是由于氧空位形成的深施主能级上电子跃迁到价带顶的结果,而527nm左右的较弱的绿先发射主要来源于导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。生长温度主要是通过改变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的发光特性的。
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关键词
ZNO薄膜
磁控溅射
X射线衍射
光致发光
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Keywords
ZnO thin film
magnetron sputtering
X-ray diffraction
photoluminescence
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
O484.4
[理学—固体物理]
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题名氧化锌薄膜的制备技术
被引量:2
- 3
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作者
李勇
马书懿
李锡森
蔡利霞
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机构
西北师范大学物理与电子工程学院
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出处
《甘肃科技》
2009年第6期72-73,共2页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10874140)
甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJ2A105)
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文摘
介绍了氧化锌薄膜的制备方法,主要有物理和化学两种方法。物理方法有:分子束外延法(MBE),脉冲激光溅射沉积法(PLD)以及磁控溅射法;化学方法有:溶液镀膜法和各种化学气相淀积(CVD)。重点讨论了磁控溅射法的优缺点及展望。
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关键词
脉冲激光沉积
化学气相淀积
磁控溅射法
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
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题名锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究
- 4
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作者
李勇
马书懿
蔡利霞
李锡森
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机构
西北师范大学物理与电子工程学院
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出处
《甘肃科技》
2009年第7期56-57,共2页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10874140)
甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJZA105)
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文摘
分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱(EL)进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。
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关键词
Ge/SiO2
C/SiO2
电致发光
发光中心
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
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题名氧氩比变化对于ZnO薄膜结构及其荧光发射的影响
- 5
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作者
李勇
马书懿
蔡丽霞
李锡森
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机构
西北师范大学物理电子工程学院
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出处
《甘肃科技》
2009年第20期56-57,共2页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10874140)
甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJ2A105)
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文摘
不同氧氩比对于ZnO薄膜的结构及其荧光发光的影响。随着氧氩比的增加,ZnO薄膜(002)面的衍射峰明显增高,且变得更尖锐,薄膜的晶化得到改善。所有制备的样品均出现了波长位于446nm左右的蓝光峰。随氧分压逐渐增大,样品的PL谱中蓝光峰相对强度比增加。
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关键词
氧氩比
XRD
光致发光
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分类号
TB303
[一般工业技术—材料科学与工程]
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