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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备 被引量：3
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作者 陈特超 禹庆荣 +3 位作者 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1415-1418,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
关键词 微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备
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