靶材溅射及溅射原子输运的计算机模拟

用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程。模拟结果包括溅射原子输运到衬底时的能量、入射角和入射位置。由模拟结果知,溅射原子输运主要受P×d影响(P为真空室气压,d为靶基距),P×d愈大输运到衬底的溅射原子愈少,且能量愈小;溅射原子到达衬底时,能量集中在几电子伏范围内,且在能量很低的区域有分布峰;角度分布主要集中在垂直方向,这与从靶面出射时的分布相似,但垂直方向的分布有所减小;位置分布与从靶面出射时相比,分布范围在径向扩大、趋于均匀化,但主要在靶直径范围内。

锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备

为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构.

微创清除术治疗高血压脑出血的临床研究

目的探讨颅内血肿微创清除术治疗高血压脑出血的临床疗效。方法采用YL—1型颅内血肿微创穿刺粉碎针,头CT扫描定位后对118例高血压脑出血行微创穿刺清除术。结果该组118例微创清除术病人,按日常生活能力(ADL)评定:I级33例,II级47例,III级19例,IV级6例。结论颅内血肿微创清除术疗效显著,治愈率高,死亡率低,优于传统的开颅术,且使用安全,操作简便,手术快捷,创伤小,费用低。

射频磁控溅射中离子输运的计算机模拟

采用射频辉光放电等离子体壳层模型和蒙特卡罗法 ,模拟了射频磁控溅射镀膜中工作气体离子 (Ar+)的输运过程 ,得到了离子到达靶面时的入射能量、角度和位置。模拟结果 :对靶材溅射的离子主要来自于溅射坑上方的等离子体区域 ,初始离子的位置分布可通过靶材溅射坑的形貌拟合得到 ;离子的能量主要集中在壳层电压附近 ,离子大多数以垂直入射。模拟与实际相符 ,可用作进一步模拟离子对靶材溅射时的输入参数。

高血压脑出血术后再出血的危险因素

目的:探讨高血压脑出血术后再出血的危险因素及防治措施。方法:回顾近12年间收治的436例高血压脑出血病人,对68例再出血病人的临床资料进行分析。结果:术后再出血发生率为15.6%(68/436),病死率为33.8%(23/68)。结论:高血压脑出血术后再出血的主要因素为术中止血不彻底,术后血压波动较大。故术中彻底止血及术后将血压控制平稳是避免和减少再出血的重要因素,是减少死亡率和致残率的关键。

射频磁控溅射法制备类金刚石薄膜的研究

采用射频磁控溅射法,纯Ar溅射石墨靶,制备出了类金刚石薄膜,并对薄膜沉积速率随各工艺参数的变化规律、薄膜结构以及光学性能进行了系统的研究。结果表明,沉积速率随射频功率、CH4流量和溅射气压的增大而增大;随温度的增大呈现先增大后小的趋势。结构分析发现,所制备的DLC薄膜是由sp2键镶嵌在sp3键基体中构成的。在3μm^5μm波段对Si衬底有明显的增透效果。

蓝宝石衬底上制备SiO_2薄膜的研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,成功地在蓝宝石基片上制备出了二氧化硅(SiO2)薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;和其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜;制备出的SiO2薄膜在3～5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透效果.

迟发性外伤性颅内血肿的诊断和治疗

目的:总结128例迟发性外伤性颅内血肿(DTICH)病人的诊治经验,以期提高早期诊断和治疗能力.方法:对我院11年间收治的128例迟发性外伤性颅内血肿病人的临床资料,进行回顾性分析和总结.结果:128例迟发性外伤性颅内血肿中,手术治疗112例,非手术治疗16例,其中6例病人确认DTICH时已进入脑疝晚期,临床死亡.手术治疗的112例DTICH病人,良好率为81.3%,致残率为8.9%,死亡率为9.8%.结论:早期诊断及时治疗是提高DTICH病人治愈率的关键.

蓝宝石衬底上增透膜的设计与制备

采用彻底搜索法,在蓝宝石(α Al2O3)衬底上分别设计出了SiO2单层和SiO2/Si双层增透保护膜系。设计结果表明单层及多层增透膜系均可实现蓝宝石中红外波段(3～5μm)的增透。利用射频磁控反应溅射法制备出所设计的增透膜系。结果表明,蓝宝石衬底上镀单层及多层增透膜系后红外透过率明显提高;当蓝宝石衬底双面镀SiO2膜后,在3～5μm波段范围内,平均透过率达到96.43%,比未镀膜时的平均透过率87.01%提高了9.42%,满足了设计使用要求。

射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射工艺以Cu/A g合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxT e上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加,薄膜电阻率随功率增大而增大。电流-电压关系(I-U)测试表明在高阻Cd1-xZnxT e上溅射Cu/A g薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性,溅射功率为100W时的接触性能好于功率40W时的接触性能。

工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

采用射频磁控反应溅射法 ,以高纯 Al为靶材 ,高纯 N2 为反应气体 ,成功制备了氮化铝( Al N)薄膜。研究了 N2 气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对 Al N膜沉积速率的影响规律。结果表明 ,随着 N2 气流量的增加 ,靶面溅射由金属态过渡到氮化态 ,沉积速率随之明显降低 ;沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大 ,随靶基距的增大而减小 ;随着溅射气压的增大 ,沉积速率不断增大 ,但在一定气压下达到最大值后 ,沉积速率又随气压不断减小。

锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备

为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能有效增加最大刻蚀深度;在设计上适当增大掩膜版图形尺寸,即占空比f要略大于理论设定值,可以弥补后续刻蚀过程占空比的缩小;在刻蚀气体SF6中掺入一定量的O2可明显提高Ge的刻蚀深度;降低横向刻蚀速率,从而有利于制备出锥形浮雕结构。

Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究

采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降。通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流。对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃。利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响。

蓝宝石衬底上二维亚波长增透结构的设计分析

利用等效介质理论、薄膜理论研究了二维亚波长结构的增透设计,以蓝宝石衬底为例,研究了二维亚波长结构的增透设计,分析了该结构的周期、占空比、高度等参数对增透率的影响,通过分析找到了合适的结构参数。结果表明,当二维亚波长结构的等效折射率等于增透镀层材料的折射率、刻蚀高度等于单层理想增透膜的厚度时,这种结构具有良好的增透效果。采用蓝宝石双面设计二维亚波长结构后,在3μm^5μm波段的平均透过率可达99.25%。

射频磁控反应溅射制备Y_2O_3薄膜沉积分布的研究

金刚石具有高透过率、高热导率、高的化学和热稳定性以及优异的力学性能,是制造高速飞行器红外窗口和头罩的理想材料。然而,在高速飞行时,由于空气动力加热会产生很高的温度,使金刚石迅速发生氧化,导致透过率急剧下降。为此,需要在金刚石表面制备抗氧化增透涂层。本文采用射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜,观察了薄膜的沉积分布,并通过电磁场理论对沉积分布进行了探讨,结果表明:在腔体内的电场线分布是导致薄膜厚度周期性变化的主要因素。

DSA在颅内动脉瘤和脑血管畸形诊疗中的临床应用

目的:探讨DSA(数字减影血管造影)在颅内动脉瘤和脑动静脉畸形诊断和治疗中的应用价值.方法:采用DSA脑血管造影检查疑似颅内动脉瘤和脑动静脉畸形的患者36例,根据造影结果决定下一步治疗方案.结果:共发现28例颅内动脉瘤和脑动静脉畸形,分别采用了血管内治疗、手术夹闭和切除等不同的治疗方案.结论:DSA极大提高了脑血管造影检查的准确性和可靠性,也为颅内动脉瘤和脑动静脉畸形的栓塞治疗、手术夹闭和切除提供了可靠保障.具有准确、安全和操作方便的特点,有很高的临床实用价值.

环境气氛对射频溅射镀膜的影响

综合考虑宏观条件对射频溅射镀膜过程的影响,采用等离子鞘层理论、理想气体理论、蒙特卡罗法,模拟在真空气压、气体流量、电压、温度等等参数综合作用后离子的能量、方向、分布等。相应实验验证结果与模拟结果较为一致,因此,可以认为目前的结论足以作为进一步模拟的条件。

黄带山钩蛾发育起点温度与有效积温的研究

研究了黄带山钩蛾Oreta pulchripes Butler各虫态在恒温16,19,22,25,28℃下的发育历期、发育起点温度和有效积温。结果表明,随着温度的升高,发育历期逐渐缩短;黄带山钩蛾的卵、幼虫、蛹、成虫期和世代发育起点温度分别为(8.28±1.27),(8.47±1.33),(7.20±1.12),(10.70±0.97),(8.40±0.46)℃。相应的有效积温分别为(85.39±7.58),(223.40±20.94),(131.91±9.60),(62.98±5.08),(507.97±16.53)日度。根据发育起点温度和有效积温,初步测得黄带山钩蛾在苏州一带的年发生世代数为7代左右,与实际调查情况基本一致。

不同药剂对两点山钩蛾的毒力测定和防效试验

7种农药对两点山钩蛾室内毒力测定的结果表明:48%毒死蜱、2.5%溴氰菊酯、1%甲氨基阿维菌素、20%氯虫苯甲酰胺、Bt和20%虫酰肼6种农药之间的差异不显著,药后3 d的校正死亡率均在96%以上,而77.5%敌敌畏的毒力较差;野外防治试验表明:除敌敌畏外,6种农药药后7 d的校正防效均在96%以上。