反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为

采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr N薄膜 ,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响。结果表明 ,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2 N两相共存 ,同时使有效的沉积速率下降 ;在基片温度为 373K、溅射功率约 4 5W时 ,氮气和氩气流量比在 1:4到 3:2的范围内变化时 ,薄膜的相组成几乎没有明显的变化 ;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在。热处理后的Cr N薄膜通常有CrN和Cr2