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双硅通孔在线容错方案
被引量:
2
1
作者
梁华国
李黄祺
+2 位作者
常郝
刘永
欧阳一鸣
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第7期1169-1174,共6页
三维集成电路是延续摩尔定律的重要手段.针对三维集成电路中硅通孔(TSV)良率不高的问题,提出一种双TSV在线容错方案.该方案采用相互耦合的通道结构来减小TSV的失效概率;通过设计反馈性的泄漏电流关闭结构来实时监控TSV的泄漏电流,以达...
三维集成电路是延续摩尔定律的重要手段.针对三维集成电路中硅通孔(TSV)良率不高的问题,提出一种双TSV在线容错方案.该方案采用相互耦合的通道结构来减小TSV的失效概率;通过设计反馈性的泄漏电流关闭结构来实时监控TSV的泄漏电流,以达到自动屏蔽泄漏故障的目的;设计了对称的短暂放电结构,在TSV发生电阻开路故障时实现对输出信号的自动修复.理论分析和实验结果表明,文中方案可在无测试时间和电路端口开销且不中断电路正常工作的前提下,对TSV的泄漏和电阻开路2种故障进行在线容错,有效地提高三维集成电路的良率和可靠性.
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关键词
三维集成电路
硅通孔
在线容错
泄漏故障
电阻开路故障
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职称材料
一种基于仲裁器的键合前硅通孔测试方法
被引量:
1
2
作者
刘永
李黄祺
+1 位作者
黄正峰
常郝
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期863-868,共6页
硅通孔(TSV)故障严重降低了三维集成电路的良率和可靠性。为了在制造流程中尽早精确地排除TSV故障,提出了一种基于仲裁器的键合前TSV测试方法。由于高电平信号通过故障TSV的延迟时间小于无故障TSV,比较被测TSV与无故障TSV的延迟时间,即...
硅通孔(TSV)故障严重降低了三维集成电路的良率和可靠性。为了在制造流程中尽早精确地排除TSV故障,提出了一种基于仲裁器的键合前TSV测试方法。由于高电平信号通过故障TSV的延迟时间小于无故障TSV,比较被测TSV与无故障TSV的延迟时间,即可判断被测TSV是否存在故障,比较结果由仲裁器给出。依次将被测TSV的延迟时间与不同的延迟时间相比,可对其延迟进行区间定位,实现TSV故障分级。实验结果表明,该方案能够检测出开路电阻大于281Ω的电阻开路故障、泄漏电阻小于223 MΩ的泄漏故障,有效解决了两种TSV故障共存的检测问题。与现有同类方法相比,该方法提高了测试精度,增加了可检测故障范围,并且可以进行故障分级。
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关键词
三维集成电路
硅通孔
键合前测试
测试精度
故障分级
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职称材料
题名
双硅通孔在线容错方案
被引量:
2
1
作者
梁华国
李黄祺
常郝
刘永
欧阳一鸣
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
合肥工业大学计算机与信息学院
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第7期1169-1174,共6页
基金
国家自然科学基金(61274036
61371025
+1 种基金
61474036)
安徽省高校省级自然科学研究重大项目(KJ2014ZD12)
文摘
三维集成电路是延续摩尔定律的重要手段.针对三维集成电路中硅通孔(TSV)良率不高的问题,提出一种双TSV在线容错方案.该方案采用相互耦合的通道结构来减小TSV的失效概率;通过设计反馈性的泄漏电流关闭结构来实时监控TSV的泄漏电流,以达到自动屏蔽泄漏故障的目的;设计了对称的短暂放电结构,在TSV发生电阻开路故障时实现对输出信号的自动修复.理论分析和实验结果表明,文中方案可在无测试时间和电路端口开销且不中断电路正常工作的前提下,对TSV的泄漏和电阻开路2种故障进行在线容错,有效地提高三维集成电路的良率和可靠性.
关键词
三维集成电路
硅通孔
在线容错
泄漏故障
电阻开路故障
Keywords
3D ICs
through-silicon-vias
online tolerance
leakage fault
resistive open fault
分类号
TP306.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
一种基于仲裁器的键合前硅通孔测试方法
被引量:
1
2
作者
刘永
李黄祺
黄正峰
常郝
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
安徽财经大学计算机科学与技术系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期863-868,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(62174036
61574052)
文摘
硅通孔(TSV)故障严重降低了三维集成电路的良率和可靠性。为了在制造流程中尽早精确地排除TSV故障,提出了一种基于仲裁器的键合前TSV测试方法。由于高电平信号通过故障TSV的延迟时间小于无故障TSV,比较被测TSV与无故障TSV的延迟时间,即可判断被测TSV是否存在故障,比较结果由仲裁器给出。依次将被测TSV的延迟时间与不同的延迟时间相比,可对其延迟进行区间定位,实现TSV故障分级。实验结果表明,该方案能够检测出开路电阻大于281Ω的电阻开路故障、泄漏电阻小于223 MΩ的泄漏故障,有效解决了两种TSV故障共存的检测问题。与现有同类方法相比,该方法提高了测试精度,增加了可检测故障范围,并且可以进行故障分级。
关键词
三维集成电路
硅通孔
键合前测试
测试精度
故障分级
Keywords
3D-IC
Through-silicon via
Prebond test
Test precision
Fault gradation
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双硅通孔在线容错方案
梁华国
李黄祺
常郝
刘永
欧阳一鸣
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
2
一种基于仲裁器的键合前硅通孔测试方法
刘永
李黄祺
黄正峰
常郝
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
下载PDF
职称材料
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