对硅片进行无抗蚀膜光化学蚀刻的一种新方法

研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。在H2 O2 与HF的浓度比为 1.3时 ,蚀刻效果最佳 ,当激光能量密度为 2 9mJ/cm2 ,照射脉冲数为 10 0 0 0次时 ,得到 2

利用紫外激光以及H_2O_2和HF的混合溶液对硅片进行光化学蚀刻

讨论了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的方法，使用过氧化氢和氟化氢混合水溶液作为化学媒质，分别使用１９３ｎｍ准分子激光和２６６ｎｍ四倍频固体Ｎｄ︰ＹＡＧ激光作为光源．实验结果显示，可以不需要任何抗蚀膜，直接在硅表面进行图案蚀刻．对于１９３ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ质量比为１．３时，得到最佳蚀刻深度．在２９ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和１００００个脉冲照射下，得到２１０ｎｍ的蚀刻深度．在相同条件下，使用Ｈ２Ｏ２与ＨＦ混合液时的蚀刻深度大约是使用Ｈ２Ｏ与ＨＦ混合液时的４倍．对于２６６ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ 质量比为２时， 得到最佳蚀刻深度． 在１２ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和３００００个脉冲照射下，得到４２０ｎｍ的蚀刻深度．