采用直接功率注入法(direct power injection,DPI)对一款新型磁随机存储器(magneto resistive random access memory,MRAM)芯片进行了抗干扰测试。在存储数字“0”和“1”的情况下,对MRAM的电源引脚、数据引脚、控制引脚进行了干扰注入...采用直接功率注入法(direct power injection,DPI)对一款新型磁随机存储器(magneto resistive random access memory,MRAM)芯片进行了抗干扰测试。在存储数字“0”和“1”的情况下,对MRAM的电源引脚、数据引脚、控制引脚进行了干扰注入,对比了各引脚的失效功率。测试结果表明:MRAM在存储数字“0”时的敏感度比数字“1”时的敏感度低;与干扰从地引脚注入相比,干扰从电源引脚注入时芯片的敏感度更高;读取电路电磁敏感度和输出引脚与电源引脚具有较大相关性。这一研究结果可为提升新型存储器MRAM的芯片抗扰度及电路优化提供理论参考。展开更多
针对甚高频无线通信设备工作在高空电磁脉冲主要能量频谱范围内,生存能力受到严重威胁的问题,研究了甚高频无线通信系统的电磁脉冲易损特性,使用矩量法(method of moment,MoM)和CST软件分别求解了天线端口电流响应和舱体内耦合电场波形...针对甚高频无线通信设备工作在高空电磁脉冲主要能量频谱范围内,生存能力受到严重威胁的问题,研究了甚高频无线通信系统的电磁脉冲易损特性,使用矩量法(method of moment,MoM)和CST软件分别求解了天线端口电流响应和舱体内耦合电场波形,确定了主要耦合通道和脉冲辐照试验等级。分别开展了天线和主机脉冲辐照试验,发现了脉冲冲击射频前端造成电源模块故障的“间接效应”现象。通过效应机理分析,确定了故障器件和失效原因。最后给出了防护建议:使用旁路泄放和稳态滤波的组合防护设计思路进行防护优化,要求防护器后端残余电流小于10 A。展开更多
文摘采用直接功率注入法(direct power injection,DPI)对一款新型磁随机存储器(magneto resistive random access memory,MRAM)芯片进行了抗干扰测试。在存储数字“0”和“1”的情况下,对MRAM的电源引脚、数据引脚、控制引脚进行了干扰注入,对比了各引脚的失效功率。测试结果表明:MRAM在存储数字“0”时的敏感度比数字“1”时的敏感度低;与干扰从地引脚注入相比,干扰从电源引脚注入时芯片的敏感度更高;读取电路电磁敏感度和输出引脚与电源引脚具有较大相关性。这一研究结果可为提升新型存储器MRAM的芯片抗扰度及电路优化提供理论参考。
文摘针对甚高频无线通信设备工作在高空电磁脉冲主要能量频谱范围内,生存能力受到严重威胁的问题,研究了甚高频无线通信系统的电磁脉冲易损特性,使用矩量法(method of moment,MoM)和CST软件分别求解了天线端口电流响应和舱体内耦合电场波形,确定了主要耦合通道和脉冲辐照试验等级。分别开展了天线和主机脉冲辐照试验,发现了脉冲冲击射频前端造成电源模块故障的“间接效应”现象。通过效应机理分析,确定了故障器件和失效原因。最后给出了防护建议:使用旁路泄放和稳态滤波的组合防护设计思路进行防护优化,要求防护器后端残余电流小于10 A。