空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究

利用等效1 MeV中子和γ射线对1200 V SiC功率MOSFET进行辐射,研究了电离损伤和位移损伤对器件的影响,并分析了辐射后器件栅氧长期可靠性。结果表明:中子辐射后器件导通电阻发生明显退化,与辐射引入近界面缺陷降低载流子寿命和载流子迁移率有关。时间依赖的介质击穿(TDDB)结果表明,栅泄漏电流呈现先增加后降低趋势,与空穴捕获和电子捕获效应有关。中子辐射后栅漏电演化形式未改变,但氧化层击穿时间增加,这是中子辐射缺陷增加了Fowler-Nordheim(FN)隧穿势垒的缘故。总剂量辐射在器件氧化层内引入陷阱电荷,使得器件阈值电压负向漂移。随后的TDDB测试表明,与中子辐射一致,总剂量辐射未改变栅漏电演化形式,但氧化层击穿时间提前。这是总剂量辐射在氧化层内引入额外空穴陷阱和中性电子陷阱的缘故。

宇航元器件应用验证系统工程方法实践与探索

介绍了应用验证系统工程在型号中的具体实践,提出了运用系统工程理论解决复杂项目管理的方法,初步形成具有型号元器件应用特点的应用验证项目实施途径,为后续宇航元器件应用验证项目的工程管理提供参考和借鉴。

国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究

国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产。针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑。结果表明:器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm^(2)/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻转和单粒子功能中断较为敏感。利用ForeCAST软件计算得到GEO、Adams 90%最坏环境模型,3 mm(Al)屏蔽条件下器件的DFT模式单粒子翻转率为6.80×10^(-8) d^(-1)·bit^(-1),SRAM模式单粒子翻转率为5.61×10^(-11) d^(-1)·bit^(-1),单粒子功能中断率为5.24×10^(-5) d^(-1),在轨应用时需要采取相应的防护措施。

国有小型企业走出困境的一种新尝试:“盈利补亏入股”

统计资料表明,1994年亏损的2.4万户国有独立核算工业企业中,小企业多达1.97万户,占82.1%,小企业中亏损户占33.3%.这些数字仅仅反映了国有小企业明亏状况,若考虑清产核资中发现的资产净损失和潜亏挂帐等因素,国有小企业净资产几近亏光.据推算,国有权益损失(包括资产净损失、经营性亏损和潜亏挂帐等)占国有净资产的比重高达82.8%.如国有小型企业按老思路、老办法继续运行下去的话,前景是很难令人乐观的.因此必须深化改革,寻找国有小型企业新的运营形式,努力使大量的国有亏损小企业走出困境.

试析我国商业银行担保贷款的风险性

试析我国商业银行担保贷款的风险性□杜卓宏厉仲云一、担保贷款存在的问题（一）虚假资产的抵押１、评估失实资产的抵押。在正常情况下，专门资产评估机构评估的资产值，应该是准确的、权威的，是有极高可信度的，而事实则不然。有些评估人员，受到某个企业或某个人的利诱...