晶体电光效应实验中偏振光干涉原理的定量诠释

本文对晶体电光效应实验中偏振光干涉原理进行定量诠释.借助折射率椭球和小角度近似,总结出会聚光入射下相干级次与条纹位置和加载在晶体上的驱动电压之间的定量关系.通过实验采集干涉条纹提取数据,验证了干涉级次和暗纹与干涉中心距离平方的线性关系,不同驱动电压下,两者相关系数均高于0.99;利用驱动电压和干涉级次的变化规律测得晶体电光系数,与公认方法所获结果的误差约为1.45%.本实验设计可加深低年级本科生对偏振光干涉理论知识的理解,丰富实验内容.