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一种铅铋合金薄膜低温相的结构及超导物性表征 被引量:2
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作者 田明阳 王巨丰 +2 位作者 杜宏健 马传许 王兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第17期92-99,共8页
铅铋(Pb-Bi)合金超导材料被广泛研究,但对其低温物相的结构和超导物性却知之甚少.本文采用低温共沉积和低温退火的方法,在Si(111)-(7×7)衬底生长的Bi(111)超薄薄膜上制备了铅铋合金薄膜,利用扫描隧道显微术对其结构和电子学性质进... 铅铋(Pb-Bi)合金超导材料被广泛研究,但对其低温物相的结构和超导物性却知之甚少.本文采用低温共沉积和低温退火的方法,在Si(111)-(7×7)衬底生长的Bi(111)超薄薄膜上制备了铅铋合金薄膜,利用扫描隧道显微术对其结构和电子学性质进行表征.通过结构表征,确定了薄膜中存在相分离,同时存在具有三次对称性的纯Bi(111)相和合金相Pb_(1-x)Bi_(x),可归属于部分铋取代的Pb(111)结构.通过电子学性质测量,进一步证实了Bi(111)相中特征的电子学结构及合金相中的超导行为.变温实验表明,合金相Pb_(1-x)Bi_(x)的超导转变温度是7.77 K,属于强耦合超导体.测量了由Bi(111)-Pb_(1-x)Bi_(x)组成的正常金属-超导体异质结和超导体-正常金属-超导体异质结中的邻近效应,指出了超导穿透深度可能受界面接触面积的影响.考虑到铋可能具有的拓扑属性,Bi(111)-Pb_(1-x)Bi_(x)面内异质结界面结构可进一步用于研究其新奇物理效应. 展开更多
关键词 铅铋合金 超导转变温度 邻近效应 扫描隧道显微术
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π-Electron-Assisted Relaxation of Spin Excited States in Cobalt Phthalocyanine Molecules on Au(111) Surface
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作者 刘小刚 杜宏健 +3 位作者 李斌 赵烨梁 赵爱迪 王兵 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2017年第2期161-165,I0001,共6页
We present our investigation on the spin relaxation of cobalt phthalocyanine (CoPc) films on Au(111) (CoPc/Au(111)) surface using scanning tunneling microscopy and spectroscopy. The spin relaxation time derive... We present our investigation on the spin relaxation of cobalt phthalocyanine (CoPc) films on Au(111) (CoPc/Au(111)) surface using scanning tunneling microscopy and spectroscopy. The spin relaxation time derived from the linewidth of spin-flip inelastic electron tunneling spectroscopy is quantitatively analyzed according to the Korringa-like formula. We find that although this regime of the spin relaxation time calculation by just considering the exchange interaction between itinerant conduction electrons and localized d-shells (s-d exchange interaction) can successfully reproduce the experimental value of the adsorbed magnetic atom, it fails in our case of CoPc/Au(111). Instead, we can obtain the relaxation time that is in good agreement with the experimental result by considering the fact that the 7c electrons in CoPc molecules are spin polarized, where the spin polarized 7c electrons extended at the Pc macrocycle may also scatter the conduction electrons in addition to the localized d spins. Our analyses indicate that the scattering by the π electrons provides an efficient spin relaxation channel in addition to the s-d interaction and thus leads to much short relaxation time in such a kind of molecular system on a metal substrate. 展开更多
关键词 Scanning tunneling microscopy Spin relaxation Single molecule s-d coupling
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PbBi_(3)低温合金薄膜的制备和超导性质
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作者 王巨丰 田明阳 +2 位作者 杜宏健 马传许 王兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期322-331,共10页
铋(Bi)和铅(Pb)都是重元素,有很强的自旋-轨道耦合作用,由于原子半径接近,可形成丰富的原子取代合金结构.尽管对高温合金相有了较深入的研究,但对其低温物相的结构和超导物性的认识还很不全面.本文采用低温共沉积和低温退火的方法,在Si(... 铋(Bi)和铅(Pb)都是重元素,有很强的自旋-轨道耦合作用,由于原子半径接近,可形成丰富的原子取代合金结构.尽管对高温合金相有了较深入的研究,但对其低温物相的结构和超导物性的认识还很不全面.本文采用低温共沉积和低温退火的方法,在Si(111)-(7×7)衬底上制备了一种基于Bi(110)单晶结构中部分Bi原子被Pb取代的铅铋合金低温相超薄膜新结构,利用扫描隧道显微术(STM)对其结构和电子学性质进行了表征.通过结构表征,确定了合金薄膜表面呈现√2×√2R45°重构的PbBi_(3)合金相,其母体Bi(110)结构中25%的Bi原子被Pb取代了.通过STM谱学测量,发现合金相PbBi_(3)为超导相.变温实验表明,PbBi_(3)相的超导转变温度为6.13 K.在外加垂直磁场下出现的磁通涡旋结构表明PbBi_(3)薄膜是第Ⅱ类超导体,估算出上临界磁场的下限为0.92 T.测量了由Bi(110)-PbBi_(3)组成的共面型和台阶型正常金属-超导体异质结中的邻近效应,并研究了外加磁场对超导穿透深度影响.采用超导针尖与PbBi_(3)衬底形成超导-真空-超导隧道结,在超导能隙中观察到零偏压电导峰,进一步证实了PbBi_(3)的超导转变温度. 展开更多
关键词 铅铋合金 超导相干长度 邻近效应 零偏压电导峰
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亚单层铋在Cu(111)上的生长
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作者 王巨丰 马传许 +1 位作者 杜宏健 王兵 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期452-458,共7页
半金属铋(Bi)在贵金属表面有多种多样的生长结构,本文利用扫描隧道显微术系统地研究了温度和覆盖度对Bi在Cu(111)表面生长结构的影响。通过对高Bi原子覆盖度(1.5 monolayer,ML)的样品逐步提高退火温度减少其覆盖度,在Bi⁃Cu界面依次获得... 半金属铋(Bi)在贵金属表面有多种多样的生长结构,本文利用扫描隧道显微术系统地研究了温度和覆盖度对Bi在Cu(111)表面生长结构的影响。通过对高Bi原子覆盖度(1.5 monolayer,ML)的样品逐步提高退火温度减少其覆盖度,在Bi⁃Cu界面依次获得了非公度的p×√3和公度的[2012]吸附重构与√3×√3R30°表面合金结构。进一步,在低覆盖度(1/3或1/4 ML)时,通过对比室温和200 K低温下Bi在Cu(111)表面的生长模式,分别形成√3×√3R30°表面合金结构与准一维[2012]吸附重构条带,揭示了Bi原子取代Cu原子形成合金的能垒<38.81 meV。此外,对√3×√3R30°表面合金结构的电子态研究观察到了0.25 eV能量位置的Rashba能态峰,并揭示了边界、畴界和点缺陷对Rashba能态空间分布的抑制行为。 展开更多
关键词 半金属Bi CU(111) Rashba效应 扫描隧道显微镜
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石墨烯纳米泡的充电态操控
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作者 马传许 杜宏健 +2 位作者 田明阳 王巨丰 王兵 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期571-577,共7页
可控调节二维材料纳米结构电学行为的能力,可为创造新颖功能型应用提供有效手段。本文利用扫描隧道显微技术实现了对SiO_(2)衬底上单层石墨烯纳米泡充电行为的连续偏压操控。通过形貌表征,观测到了转移到绝缘体SiO_(2)衬底上的化学汽相... 可控调节二维材料纳米结构电学行为的能力,可为创造新颖功能型应用提供有效手段。本文利用扫描隧道显微技术实现了对SiO_(2)衬底上单层石墨烯纳米泡充电行为的连续偏压操控。通过形貌表征,观测到了转移到绝缘体SiO_(2)衬底上的化学汽相沉积单层石墨烯中纳米泡结构的存在。进一步,证实了石墨烯纳米泡的非平面结构引起局域电子态密度的连续增强,并有效屏蔽衬底掺杂效应,形成类量子点结构。扫描隧道显微谱学成像表明,在正负偏压下,石墨烯纳米泡边界处均会出现微分电导增强的环状结构,且其直径变化趋势在狄拉克点两侧具有明显不同的行为:低于狄拉克点时,随着偏压降低,环形结构的尺寸逐渐增大;而在高于狄拉克点一侧,随着偏压增大,其尺寸变化很小。这一结果与实验测定的石墨烯纳米泡电子态密度在正负能量区间的分布特征保持一致。基于针尖的局域栅压效应,考虑石墨烯纳米泡电子态随着偏压变化持续地越过费米面引起的电导增强现象,可以很好地解释实验结果。与半导体中杂质态的充电行为不同的是,所观测到的石墨烯纳米泡的电离可以发生在正负偏压,且没有偏压阈值,这为未来研究其类量子点的新奇量子限域效应提供了新的调控手段。 展开更多
关键词 石墨烯纳米泡 充电态 局域栅压效应 扫描隧道显微术
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