CsCl:Cr和CsBr:Cr的光谱和g因子的理论研究

文用参量化轨道理论和双自旋轨道耦合系数模型计算了掺Cr3+的CsCl和CsBr晶体的光谱和顺磁 g因子 。

LiF：Co^（2＋）和NaF：Co^（2＋）晶格中的Co^（2＋）－F~－键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ２＋和ＮａＦ：Ｃｏ２＋晶体中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长．结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ２＋中，Ｃｏ２＋－Ｆ－键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ＋－Ｆ－距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ２＋中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长则有很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ＋－Ｆ－键长．从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明。

Zn_4O(BO_2)_6:Co^(2+)的三角场分裂

Zn4O (BO2 ) 6:Co2 +晶体是一种可能的 1 5 4 μm饱和吸收被动Q开关晶体。本文从Zn4O(BO2 ) 6 的晶体结构数据出发 ,采用平均共价因子模型 ,计算Zn4O(BO2 ) 6:Co2 +的三角场分裂。理论计算结果与实验观测值符合很好。

YAG透明陶瓷的研究进展

对透明YAG陶瓷的特性以及制备工艺做了重点介绍,讨论了影响YAG陶瓷透光性的主要因素,展望了该领域的发展前景以及今后的研究趋势.

Cu_(0.5)Zr_2(PO_4)_3:Cu^(2+)中心g因子研究

由于Cu0.5zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性。对它的研究引起了广泛的关注.本文引入平均共价因子N,并结合晶体结构数据给出了3d9离子在晶场D4h下的g因子公式,利用该公式并结合Cu0.5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0.5zr2(PO4)3晶体中Cu2+中心的EPRg因子进行了理论分析计算,所得到的结果与实验值基本吻合.

Cu^(2+)基态b_(2g)的g因子微扰公式及对Cs_2CuCl_4和T_2CuBr_4的应用

On the basis of the crystal field theory, the formulae of the EPR g factors of three order perturbation with b 2g  ground state for 3d 9/3d 1 ions at rhombic tetrahedral clusters (AX 4) n- have been obtained. Using these formulae, The authors investigated the EPR g factors of the crystals Cs 2CuCl 4 and T 2CuBr 4. The calculation results agree with the experimental findings.

ZnS∶Co^(2+)和CdTe∶Co^(2+)中配体对g因子的贡献

采用双自旋－轨道耦合模型和分子轨道研究了Ｃｏ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＺｎＳ和ＣｄＴｅ中的ＥＰＲｇ因子．计算表明，配体Ｔｅ有大的ＳＯ耦合作用和强的共价性，其对ｇ因子有较大的贡献．

Ga_2Se_3:Co^(2+)光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。

CsMnCl_3·2H_2O:Cu^(2+)吸收光谱的研究

CsMnCl32H2O是典型的准一维反铁磁体.最近V V Eremenko测定了CsMnCl3·2H2O·Cu2+的吸收光谱,利用晶 体场理论,结合晶体结构,分别计算晶体中Mn2+在Oh下和Cu2+在D2h下的能级,研究结果表明:CsMnCl3·2H2O:Cu2+在 28000,3000,32000吸收峰是来自Cu2+的d-d跃迁.

PTC热敏电阻及其发展趋势

介绍了PTC材料的特性,以及PTC热敏电阻材料(BaTiO3系、V2O3系及高分子);生产技术等方面的现状及今后的发展趋势。

YAG中Cr^(3+)离子的吸收光谱及其分析

木工作实测并用真实晶格参数计算了YAG中Cr^(3+)离子的晶场能级和晶场参量,重新讨论了掺Cr^(3+)的可调谐激光晶体的分类判据。

微波在陶瓷加工中的应用

介绍了陶瓷的传统烧结方法、微波技术、微波与陶瓷材料之间相互作用的特点;分析了近年来微波在陶瓷材料的制备、加工及修复等方面的研究成果及进展;着重探讨了微波烧结的特点和机理,微波在陶瓷材料的烧结,陶瓷涂层技术,微裂纹愈合等方面的应用.

ZnS:Co^(2+)晶体顺磁g因子的理论研究

提出了一个计算二元半导体中过渡金属（TM）离子顺磁g因子的共价模型，并用以计算了ZnS：Co2+晶体的g因子，计算值与实验值吻合很好，从而解决了用经典方法得到的g因子值与实验值相比偏小的问题．同时，通过对ZnS:Co2+晶体晶场光谱和顺磁g因子的分析，本文建议，在ZnS：Co2+晶体中，Co2+离子的t2g电子和eg电子部分处于反键轨道部分处于成健轨道．

人工晶体材料的研究进展

本文主要对人工晶体材料中半导体晶体、激光晶体、非线性光学晶体、压电晶体和纳米晶体的概念、用途以及最新研究做了进一步的阐述,并总结了某些晶体的发展方向。

Ti^(3+):ZrSiO_4中Ti^(3+)中心g因子研究

锆英石(ZrSiO4)的热膨胀系数和导热系数较低,抗震性能和化学稳定出色,近年来,逐渐受到人们的重视.通 过引入平均因子和3d1电子在D2d晶场的g因子公式,研究了Ti3+:ZrSiO4中Ti3+中心EPRg因子,得到的结果与实验值基本 稳合.

SrAl_(12)O_(19):Mn^(2+)晶体的吸收光谱及g因子的理论研究

本文引入平均共价因子,采用点电荷模型,对SrAl1 2O19:Mn 2+晶体的吸收光谱及g因子进行理论研究,计算结果表明理论值与实验值符合较好.其次,利用T=110 K时g因子的实验值,得出了键长随温度变化的关系.

幅照处理对Ti:Al_2O_3晶体光谱的改变

本文用提拉法生长了Ti:Al2O3晶体,并测定了γ光子幅照处理后的晶体样品的荧光谱和吸收谱.不同于未幅照的钛宝石光谱,本工作所测定的光谱中出现了多个峰值,文章分析了出现该现象的可能原因.

旋轨耦合作用对Ti^(3+):Al_2O_3能级分裂的贡献

运用晶体场理论对钛宝石能级分裂的精细结构进行了计算,结果说明,在不计Jahn-Teller效应的情况下,考虑晶场和自旋-轨道耦合的共同作用能很好的解释其基态能级分裂,解决了Macfarlane认为不能用晶体场理论进行计算的困难.理论数据与实验结果符合得很好.

Co(OH)_2晶体吸收光谱的研究

采用点电荷模型,以平均共价因子N作为拟和参量,并用Bkq作为晶场参量,运用配位场理论和完全对角化方法对Co(OH)2晶体的吸收光谱重新进行了理论计算.同时对其光谱首次进行了识别,并从理论上解释了所测Co(OH)2晶体的吸收光谱.

碱卤晶格中V^2+-x^-(X=Cl,Br)的键长

用吸收光谱实验数据和ｄ轨道理论确定了Ｖ￣２＋：ＮａＣｌ和Ｖ￣２＋：ＮａＢｒ中的Ｖ￣２＋－Ｃｌ－（Ｂｒ￣－）键长，结果表明：ＮａＣｌ和ＮａＢｒ中的Ｖ￣２＋－Ｃｌ￣－（Ｂｒ￣－）键长明显小于未掺杂晶格中的Ｎａ￣＋－Ｃｌ￣－（Ｂｒ￣－）离子距离．本文所用的方法不失为一种简单可靠的有效方法。