温度对纯铜等通道挤压变形组织的影响

为了研究温度对纯铜晶粒细化的影响,分别在室温、160、200、250℃下,对纯铜进行挤压变形。结果表明,在室温下等通道挤压,退火态纯铜随挤压道次的增加,晶粒细化,硬度值逐渐升高,最后趋于饱和。从室温到250℃,随着挤压温度的升高,晶粒的尺寸明显减小,晶粒细化更显著。

挤扩支盘桩的承载性能及工程应用研究

通过试验和理论分析 ,以及对一些工程实例的比较 ,对挤扩支盘桩的承载性能进行了研究 ,证明其性能价格比远好于普通灌注桩 ,是一种技术经济效益十分显著的桩型。同时 ,文中还提出了影响该桩型承载性能的因素 ,指出了目前承载力计算中存在的不足和有待进一步改进的地方。

挤扩支盘桩的工程应用和技术经济分析

本文介绍了挤扩支盘桩在某地的工程应用实例，提出承载原理和设计计算方法，通过静载试验分析比较，证明与普通灌注桩相比该桩型在性能价格上的优越性，同时提出了一些设计建议。

冷拔<110>单晶铜的形变织构和微观组织演变

采用电子背散射衍射(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)对冷拔<110>单晶铜的织构和微观组织进行了分析.为了考察初始取向对冷拔铜线材形变组织和织构的影响,<110>试验结果并与冷拔<100>和<111>单晶铜的结果进行了对比.发现与<100>和<110>单晶铜相比,<110>单晶铜晶粒分裂更加明显,在冷拔过程中迅速形成<100>+<111>织构.但高应变下,由于剪切应力的影响,<100>和<111>织构组分沿线材径向的分布并不均匀,<100>织构绝大部分分布在试样表面,<111>则主要分布于试样中心.冷拔<110>单晶铜的微观组织研究结果表明,在低应变情况下,可表征为两类非晶体学几何必须位错界面,随变形量的增加,大量S带开始出现,高应变时,绝大部分位错界面已与冷拔方向平行,形成薄片状组织.与<100>和<111>单晶铜相比,冷拔<110>单晶铜的几何必须位错界面的平均失配角和平均间距更大.由于<110>单晶铜中同一织构组分内仍能形成高角度界面,在位错界面失配角分布图中很快形成双峰分布.