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电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
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作者 李国庆 刘爱民 +2 位作者 潘萌 杜晓书 郭凡 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1145-1147,共3页
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.
关键词 电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM
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