采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜

报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.

InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究

本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10^(-15)cm^2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10^(11)cm^(-2)eV^(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比InP自身氧化物好得多,更适于用作器件的钝化保护和扩散掩蔽膜。

压电晶体双晶片汞传感器

设计了新型的压电晶体传感器探头，使参考晶片与传感晶片同时直接接触待测气体．试验了使用该结构的压电晶体双晶片汞传感器的测汞性能和对水份干扰的影响．实验结果表明：在相当大的范围内．参考晶片接触待测气体并不影响传感器对汞蒸汽的探测，而且还减少了水份等气氛的干扰．

压电晶体对汞蒸气浓度的标定

本文介绍了对两个相互串联连接的压电石英晶体探测器,对大气中汞蒸气浓度进行标定的新方法。文中详细阐述了该分析方法的原理、实验装置和实验步骤。对实验结果进行了讨论,并与YYG-2型冷原子荧光测汞仪的测量结果进行了比较。实验结果表明:该方法不但快速、简便,而且由于不存在溶液吸收不完全和从溶液中再释放出汞蒸气等现象,因此,测量准确性很高。

离子束改性聚酰亚胺微细结构的Raman光谱研究

本文报道了120 keV B^+和170keV N^+注入聚酰亚胺(polyimide)所得改性层的精细结构.Raman光谱的分析结果表明,聚酰亚胺改性层中的碳主要以石墨和无定形两种形态存在,而它们的相对含量以及石墨微粒的大小要取决于剂量、束流强度及靶温等注入参数.本文报道的十几种离子改性聚酰亚胺中的石墨微粒尺度为20-50(?).我们还用RBS分析了改性过程中改性层化学组分的变化,这同XPS对于改性过程中各种官能团演化的研究结合在一起,支持了Raman光谱关于改性层微观结构的结论.此外我们还研究了电阻随温度的变化规律,确定了这种材料的lnρ与T^(-1/2)有很好的线性关系.这同Sheng和Abels研究过导电机制的一种非均匀系统的ρ-T关系完全一致,从而为Raman光谱结果建立起来的二者在结构上的相似性提供了进一步的证据.

STUDY OF THE ANODIZATION OF Al FILM ON InP SUBSTRATE AND ITS PROPERTIES

The anodization of Al film on InP substrate and properties of anodic Al2O33/InPhave been investigated by AES,DLTS,I-V,C-V and ellipsometer.The results show that theanodic oxide Al2O3 has a permittivity of 11～12 and a resistivity of 1.3×1013 ohm-cm.Interfacestate density at Al2O3/InP is about 1011 cm-2·eV-1.DLTS reveals that there is a continuouslydistributed interface electron traps at Al2O3/InP interface.Anodic Al2O3 exhibits good stabilityand electrical properties and could be used for passivation,diffusion mask and gate insulator,etc.

Polyimide辐照效应的紫外及可见光谱研究

聚酰亚胺(polyimide)是一种电绝缘特性极好的热稳定芳香族聚合物,也被用作光致抗蚀剂.现已发现经过适当剂量的离子注入之后,聚酰亚胺的电导率能提高约20个量级,达到半导体水平.作为抗电磁辐射封装材料和温敏材料,聚酰亚胺已受到广泛瞩目,被公认是一种值得重视的新型功能材料.近年来的研究已经表明:聚酰亚胺改性层电导率的提高与其内部类石墨相的形成存在密切的联系.本文通过紫外及可见光谱研究了注入过程中聚酰亚胺的结构变化,以期对其中类石墨相的形成有一个较深入的了解.