低功率900 MHz射频磁场对小鼠皮层神经元动作电位的影响

目的:研究手机900MHz射频磁场对小鼠皮层神经元动作电位的影响。方法:低发射功率为398.1 mW、频率为900 MHz的射频磁场照射急性分离小鼠脑皮层神经元。采用膜片钳技术,观察对照组和暴露组的Na+通道电流I Na、瞬时外向K+通道电流I A和延迟整流K+通道电流I K。结果:900 MHz磁场暴露对神经元离子通道有明显影响:(1)Na+通道激活电位向超极化方向移动,钠电流峰值增大,激活和失活曲线向超极化方向移动;(2)瞬时外向钾通道的激活过程受到抑制;(3)延迟整流钾电流I K受到抑制,且呈时间依赖性。结论:低功率900 MHz射频磁场暴露影响离子通道的I-V特性和动力学特性,神经元动作电位发放阈值变小,动作电位发放频率变缓,改变了动作电位的形状和时程,影响了神经细胞电传导特性,对脑神经元的生理功能产生了一定的影响。

低强度工频磁场对脑片海马区sEPSC发放特性的影响

为研究磁场对脑片海马区自发兴奋性突触后电流(s EPSC)的生物刺激作用,利用实际测量、数学建模和Comsol软件对典型磁刺激装置进行建模与仿真,确定磁场暴露区的磁场强度和分布特性,并采用膜片钳实验对磁场刺激条件下大鼠离体脑片海马区s EPSC进行了研究.结果表明:磁场强度从刺激器舌面处到脑片区衰减125倍左右,且磁场进入溶液后分布更加均匀;磁场强度越高,s EPSC的幅值和频率越低,当磁场强度达到2 m T时,神经元s EPSC的幅值、频率、半波长、上升时间和衰减时间显著下降,说明随磁场磁剂量增加,磁场抑制s EPSC的发放.

体外暴露900MHz射频磁场对小鼠神经元电压门控Na^+通道的影响

[目的]研究手机900 MHz射频磁场对小鼠脑皮质神经元Na+通道的影响。[方法]选取7～10 d鼠龄的昆明小鼠(乳鼠),取其活脑组织切片,经酶解消化、孵育后,采用酶解和机械相结合的分离方法制备小鼠脑皮质神经元。对照组及3个暴露组均记录10个细胞。采用900 MHz、发射功率为398.1 mW的射频磁场作用3个磁场暴露组5、10和15 min后,应用全细胞膜片钳技术观测各组细胞膜电压门控Na+通道,与对照组比较,探究其对神经元动作电位的影响。[结果]900 MHz磁场暴露使神经元Na+通道激活电位向超极化方向移动,Na+电流峰值增大,使得Na+通道激活和失活曲线向超极化方向移动:对照组与磁场暴露组半数激活电压分别为(-34.983±0.34)mV和(-43.137±0.56)mV(P<0.05),斜率因子k分别为(2.334±0.15)mV和(2.339±0.36)mV(P>0.05);半数失活电压分别为(-55.809±0.189)mV和(-63.64±0.627)mV(P<0.05),斜率因子k分别为(4.40±0.147)mV和(5.737±0.54)mV(P>0.05)。[结论]900 MHz磁场暴露小鼠皮层神经元可改变Na+通道的跨膜离子电流-电压(I-V)特性、激活和失活特性,从而使得动作电位的开启提前和加速快速上升阶段,使得神经元细胞更加兴奋并且促进动作电位的传导,影响神经元的生理功能。