射频功率晶体管发射极宽度的设计研究

本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点，通过计算有效发射区宽度Ｓｅｆｆ，提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计方法。作为应用实例，给出了工作频率分别为３０ＭＨｚ、１０８ＭＨｚ、４４ＭＨｚ和１０００ＭＨｚ四个系列产品的发射极宽度优化设计的典型数据。

晶体管发射极电流集边效应理论的实验研究与射频功率晶体管版图设计系列化

在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用 [4]～ [7]的基础上 ,研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分析 ,实现了射频功率晶体管版图的系列化设计和优化设计。在工业化大生产的实际应用中 。

一种性能优良的超高频功率振荡管及其应用

本文扼要介绍超高频功率振荡管的性能、典型应用及可靠性。

3DA5108型L波段微波功率振荡管及其应用

本文简要介绍一种L波段微波功率振荡管—3DA5108的主要性能和特点、典型应用和可靠性。

发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证

发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似解的新方法 .结果表明 :近似解是在 V( x) VT 的前提条件下求得的 ,仅在弱注入区和中等注入区适用 ,不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ;相反 ,基于精确解的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ,且与用 SPICE模拟得到的结果吻合 .结论是 :从整体来看 ,精确解的理论比近似解的理论描述该效应要稍好一些 ,因为前者的适用范围比后者宽 .应当强调指出 。

射频功率管标准单元设计与应用研究

本文首次提出了硅双极射频功率晶体管采用标准单元的设计思想，并通过对400MHz系列产品的标准单元设计与应用研究，表明了设计思路是正确可行的，它对产品性能优化和开展系列化产品设计以及促进标准化、现代化管理具有较高的实用和推广价值。

双极晶体管发射极电流集边效应理论及其在大生产中的应用研究

本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾。文章指出 :1971年 ,J Olmstead等人在四个假设下 ,导出了一维的描述该效应的微分方程 ,并给出了它的近似解。我们采用分离变量法 ,不作任何近似 ,导出了该微分方程的解析解 ,从而使描述该效应的理论得到了改进。该解析解理论用于射频功率晶体管的版图设计中 ,取得明显效益。解析解不仅提高了描述该效应的精度 ,更重要的 ,是拓宽了理论适用的范围 ,从弱注入到极强注入的所有注入范围内 ,它都能适用 。