市场化改革、股市发展与区域创新能力

本文基于中国30个省级区域1999—2013年的面板数据,采用系统广义矩估计方法评估了股市发展对区域创新能力的影响。研究发现,股市发展对区域创新能力的提升具有显著的促进作用,但这种作用局限于市场化改革进程。为此,本文利用面板门槛回归模型进一步评估了市场化改革和股市发展对区域创新能力的影响。研究发现,当某一区域内没有跨过市场化改革进程的门槛时,股市发展对提升区域创新能力的积极作用被显著弱化甚至不明显;而跨过市场化改革进程门槛时,股市发展能显著提升区域创新能力。

碳化硅“体”二极管和“外部”SBD的关断过程对比

引言近年来,半导体行业最为火热的话题非宽禁带半导体莫属,如碳化硅(SiC)。由于其优越的物理和电气特性,如高能量带陳(eV),高临界击穿场强(MV/cm)和高热导率(W/cm·K)等,在硅基半导体叱咤风云数十载的情况下逐渐活跃在大众视野。