6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现

设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。

10~20GHz宽带低噪声放大器的设计和实现

阐述一款采用0.25 GaAs pHEMT工艺、基于MMIC技术的10~20GHz宽带低噪声放大器设计。联合仿真结果表明,带内增益高达28dB,噪声系数低于1.9dB,输入和输出回波损耗均低于-15dB。该芯片具有宽带宽、集成度高和功耗低的特点。

面向5G基站的射频功率放大器设计与实现

近年来随着5G基站的全面投入使用,针对S波段功率放大器的各项指标又提出了更高的应用需求。为了满足高增益,高效率,宽频带、大功率、小型化等需求,本文在阶跃式匹配电路的基础上,采用并联开路微带线的方法,设计了一款工作在3.4~3.6 GHz的射频功率放大器。本次设计所采用的设计方法解决了晶体管动态阻抗难以精确测试,仿真与实测存在差距等问题。在本设计中,输入输出匹配网络采用并联开路微带线并且通过改变开路微带线的物理长度与宽度,使匹配网络处于动态匹配状态,有利于后期调试电路,从而确定最佳匹配电路。同时,微带线的采用使得整个电路更加小型化。为验证方案的可行性,本文采用了CREE公司的CGHV40030F晶体管设计了一款工作在3.5 GHz的射频功率放大器,并进行硬件制作与测试。仿真与测试结果均表明,该设计方法易于电路调试,便于准确地确定匹配网络,实测结果逼近仿真结果,幅度失真小于1,相位失真小于5°/dB,S11小于-5.1 dB,S12大于18.3 dB,输出功率大于45 dB,增益大于12 dBm,漏极效率大于66%等各项性能指标良好。