N_2在Pd中的中温扩散及其对物性的影响

用四引线原位电阻法研究了 Ｐｄ线（直径 ２５ μｍ）在 ３００℃左右流动 Ｎ２气氛中退火时 Ｎ２在 Ｐｄ丝中的扩散，扩散过程符合一维无限长圆柱的体扩散模型，结果不同于传统认为的 Ｐｄ在 １４００℃以下不吸 Ｎ２的结论，拉伸实验证明，

SnAgCu表面贴装焊点在时效和热循环过程中的组织及剪切强度变化

研究了 ＳｎＡｇＣｕ／Ｃｕ和 ＳｎＡｇＣｕ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ表面贴装焊点在时效和热循环过程中的微结构及剪切强度的变化结果表明， ＳｎＡｇＣｕ与 Ｃｕ的反应速率大于其与 Ｎｉ－Ｐ的反应速率．经长时间时效后， ＳｎＡｇＣｕ／Ｃｕ焊点中 ＳｎＡｇＣｕ与 Ｃｕ的界面成为弱区，而 ＳｎＡｇＣｕ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ焊点的剪切断裂则发生在 Ｎｉ－Ｐ与 Ｃｕ的界面．热循环过程中两种焊点均产生裂纹且强度下降．长时间热循环后 Ｎｉ－Ｐ与 Ｃｕ分层脱开， ＳｎＡｇＣｕ／Ｎｉ－Ｐ焊点失去强度．

Ni对Sn96.5Ag3.5/Cu之间扩散行为的阻挡作用

研究了电镀Ni层和化学镀Ni P合金层对Sn Ag/Cu焊点扩散行为的影响 ,电子探针分析表明 :化学镀Ni P合金层能很好地阻止Sn Ag/Cu焊点在焊接过程中的Cu ,Sn互扩散和相互反应 ;而电镀Ni层则不能阻止Sn Ag/Cu焊点在焊接过程中的Cu,Sn互扩散和相互反应 ,界面反应产物仍以Cu6 Sn5 为主。应用化学镀Ni P合金作为Sn Ag/Cu之间的扩散阻挡层可大大减少Sn/Cu金属间化合物的生成 。

时效对无铅焊料Ni-P/Cu焊点的影响

研究了１５０℃等温时效对６２Ｓｎ３６Ｐｂ２Ａｇ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ及共晶ＳｎＡｇ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ表面贴装焊点微结构及剪切强度的影响．结果表明，在钎料与Ｎｉ－Ｐ间的界面存在Ｎｉ３Ｓｎ４金属间化合物层,其厚度随时效时间增加，Ｎｉ－Ｐ层的厚度减小；时效后，ＳｎＰｂＡｇ、ＳｎＡｇ焊点的剪切强度下降．对于ＳｎＡｇ焊点，时效２５０ｈ后其剪切强度剧烈下降，断裂发生在Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ界面上，在长时间时效后焊点一侧的Ｎｉ－Ｐ层中Ｐ的含量较高可能是Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ结合强度变差的主要原因．ＳｎＰｂＡｇ焊点保持着较高的剪切强度．

大尺寸纳米铜和银的制备及其微观缺陷与力学性能

用惰性气体冷凝和真空原位温压方法成功地制备了大尺寸具有清洁界面的纳米铜和银块材。其尺寸分别为d80mm× 5mm和d80mm× 7.8mm ,平均晶粒度为 36nm和 5 2nm ,相对密度为 94.3%和 97%。纳米铜的微空隙尺寸稍大 ,但数量较少 ;纳米银的微孔隙孔径为 16 .5～ 18nm ,数量极少。纳米铜和银的显微硬度分别是多晶粗晶铜和银的 6倍和 2倍。纳米铜的弹性模量、屈服强度、断裂强度和延伸率分别为多晶粗晶铜的 0 .6 5 ,1.42 ,1.82和 0 .15倍。

原位电阻法研究高温器件焊面多层金属膜间的扩散

采用原位电阻法测量了高温器件焊面多层金属膜Ａｕ／Ｔｉ，Ｐｄ／Ｔｉ在３００℃不同气氛下电阻随退火时间的变化．结果表明，３００℃退火时Ａｕ膜中存在Ｔｉ的扩散导致电阻显著增加，但电阻随时间变化与气氛的关系不大．电阻变化的规律基本符合一维有限厚无限大平面体扩散模型．空气中退火时电阻增加小于 Ａｒ气氛下退火电阻增加，可用 Ａｕ膜中 Ｔｉ扩散速率的差异来解释． Ｐｄ／Ｔｉ膜在 Ａｒ气氛下退火时电阻基本无变化，但空气中退火时因 Ｔｉ层部分氧化而导致膜的电阻少量增加（约 ３％）．

新型封装形式QFN的高频特性分析

本文用有限元模拟的方法提取了几种引线框架型封装SSOP,TQFP和新型QFN的高频寄生参数,结果显示QFN型封装的高频性能要优于常规的引线框架型封装,更适合用作高速电子器件的封装形式。