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题名再布线圆片级封装的温度循环可靠性研究
被引量:2
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作者
杨东伦
翟歆铎
陈栋
郭洪岩
肖斐
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机构
复旦大学材料科学系
江阴长电先进封装有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期709-714,共6页
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基金
国家科技重大专项资助(2011ZX02602)
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文摘
圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注。按照JEDEC标准对含RDL结构的WLP器件进行了温度循环试验,研究了WLP器件结构对可靠性的影响。结果表明,随样品节距减小,器件的可靠性降低;相同节距时,焊球直径越小可靠性越低。通过失效分析发现了3种与互连结构有关的失效模式,其中一种与RDL结构直接相关,且对大节距的WLP器件可靠性产生了较大影响。结合有限元模拟,对再布线结构圆片级封装的失效机理进行了深入地分析。
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关键词
圆片级封装(WLP)
再布线层(RDL)
温度循环
失效分析
有限元分析(FEA)
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Keywords
wafer level package (WLP)
redistribution layer (RDL)
temperature cycling
failure analysis
finite element analysis (FEA)
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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