不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性

金属化聚丙烯膜电容器(MPPFC)是脉冲功率电源系统中的常用储能单元,应用于高场强的MPPFC电压降落现象显著。介质泄漏是降低储能效率的重要因素,绝缘电阻提供了泄漏的路径。本文以MPPFC为对象,通过测量其的绝缘电阻来研究的泄漏特性。测试结果表明MPPFC的等效绝缘电阻对场强极其敏感,随着场强增加,等效绝缘电阻急剧减小。结晶度显著影响薄膜的等效绝缘电阻。结合Poole-Frenkel效应的等效绝缘电阻计算结果表明,影响等效绝缘电阻的关键参数是电场强度、电导率和Poole-Frenkel效应系数,本文等效绝缘电阻计算值与测试结果吻合。

非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)

研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。

非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)

采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究可以对非晶态碲镉汞薄膜的晶化程度进行量化表征,从而控制退火条件,优化材料质量。

基于波面剪切干涉原理测量微细台阶高度

提出了利用波面剪切干涉原理测量微细结构台阶高度的方法。通过在微分相衬干涉系统光路中加入偏振分光棱镜,实现了对光束的微分剪切及复合偏振。利用矩阵分析法建立了该测量系统的数学模型,根据探测到的光强信息图,由光强与干涉相位差间的关系式提取到了测量区域的相位分布值,由位相与待测物纵向深度间的转换关系式,经图像重建后通过计算得到了台阶的表面高度信息。

基于Canny边缘检测的数字稳像算法研究

提出了一种将改进的Canny边缘检测技术应用于数字电子稳像中的方法,通过选择图像边缘线的交叉点作为特征点,以此确定仿射模型的运动参数,并进行运动补偿从而达到输出稳定视频图像的目的。实验结果表明用这种方法提取的特征点具有良好的稳定性,实际应用效果良好。