嵌入吸收式单刀八掷开关电路

提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性,设计了1个在14~18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷（SP8T）开关电路,导通损耗小于3.9 d B,输出端回波损耗大于10 d B;隔离度大于60 d B,输入、输出端回波损耗大于12 d B。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内,相比传统结构的吸收式开关电路,具有在导通状态下损耗略小;在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。

凹凸棒土固载N-杂环卡宾催化安息香缩合反应

将5种不同的N-杂环卡宾(NHCs)前体固载到凹凸棒土(ATP)表面,制备了5种固载NHCs催化剂。通过FTIR、元素分析、BET和TEM对其进行了表征。以苯甲醛的安息香缩合反应为模板,对反应条件进行了优化,并考察了底物的普适性。最后对催化剂的重复使用性进行了评价。结果表明,NHCs前体成功地固载到凹凸棒土表面,制备的固载NHCs催化剂能有效催化安息香缩合反应,其中,1-正丁基-3-(3-三甲氧基硅丙基)苯并咪唑氯化物(BTBCl)@ATP性能最优。当BTBCl@ATP中苯并咪唑盐用量为1%(以苯甲醛物质的量计,下同),Na OH用量40%,2m L甲醇,在氩气中110℃下反应4h,产物的收率可达90%。在优化条件下,BTBCl@ATP可催化多种芳香醛的安息香缩合反应,收率在61%~86%之间。BTBCl@ATP使用5次后,其催化活性没有明显下降。