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用统计工艺控制日记来完成的区间控制图
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作者 杨功铭 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第3期65-67,共3页
人所熟知,产品的质量是设计和制造出来的。当设计正确合理时,如何保证制造过程的质量就十分关键了。这就要求每道工序都要能达到符合该工艺规范的预期指标值,每道工序加工质量的稳定性要好。换而言之,加工过程须处于受控状态。为此,产... 人所熟知,产品的质量是设计和制造出来的。当设计正确合理时,如何保证制造过程的质量就十分关键了。这就要求每道工序都要能达到符合该工艺规范的预期指标值,每道工序加工质量的稳定性要好。换而言之,加工过程须处于受控状态。为此,产生了各式各样的控制图,这些控制图各有其用场与优缺点。控制图的基本形式如图1所示,加工件的质量数据处于上、下控制线之间就认为是受控的。在正常情况下,当加工处于受控状态时,其总体质量特性服从正态分布规律,从既保证质量又经济合理的角度出发,人们把上、下控制线间的范围定为±3σ(σ为其标准偏差)。因为落在±3σ以外的几率只有0.3%,是一个小几率,在次数少的活动中一般不会发生,所以认为它是受控的。 展开更多
关键词 电子产品 质量 控制图 统计工艺
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MOS-双极功率半导体技术的进展
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作者 B.Jayant Baliga 杨功铭 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第2期34-44,共11页
对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加... 对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。 展开更多
关键词 MOS 功率 半导体技术 双极
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