散料γ射线测厚方法的研究

散料γ射线厚度测量方法主要研究了宽束和窄束条件下，线减弱系数μ实与实验条件、散料厚度及散料含水量的变化规律，从中寻找计算散料厚度的方法，还研究了积累因子Ｂ与实验条件、散料厚度及含水量的关系。同时对实验测量的μ实与理论计算的μ理进行了比较。

ECR源控制用的网络模型

在研究 ECR 源智能控制的理论模型时,对几种模型进行理论探讨,编程并做仿真实验,对其结果进行了分析。着重对模糊 modular 神经网络 (即组合网络 )进行描述,分析该模型的优缺点,并在实验中对仿真计算结果随学习次数、规则条数和学习率之间的变化关系进行了深入研究。

铁屏蔽T（d,n）^4He源的模拟结果分析

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟了用铁屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ快中子源时不同条件下的透射率随铁厚度的变化规律。研究了（ｎ，２ｎ）反应对快中子慢化的作用，使较低能量的中子产生了累积效应，并分析了反射中子二次进入屏蔽体时透射率的变化规律。推荐了多层屏蔽体的铁的适当厚度，与国外数据符合较好。

天然铁屏蔽快中子的Monte Carlo模拟研究

考虑了Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ快中子与天然铁的所有反应后，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法建立了适用于天然铁球壳的中子输运程序；计算了快中子源屏蔽铁的不同厚度的透射中子能谱分布，统计了不同屏蔽厚度的各种透射率，均得到了满意的结果，与国外数据相比不仅符合，而且为选择铁屏蔽厚度提供了科学依据．

用裂变径迹法测量兰州自来水中铀的含量

在反应堆中,用慢中子辐照经过处理的自来水样品,使铀裂变碎片在聚碳酸酯中产生径迹,经化学蚀刻放大后用光学显微镜观测径迹数。

动物化石中的元素分析与研究

用Ｘ射线荧光法测定了古脊椎动物化石中Ｃａ、Ｆｅ、Ｓｒ、Ａｓ等元素的含量。通过分析和研究这些元素的含量，解释了化石的成因。并对化石中某些有毒元素的存在作了讨论。

离子束引起金属膜和白云母界面附着力的改变

本文叙述了用能量为1—4MeV的Cl离子轰击有Au和Ag薄膜的天然白云母,使金属膜与白云母界面之间的附着力发生了变化。用胶带法测试了不同离子能量下的增强附着剂量阈D_(th)。入射Cl离子的剂量在增强附着剂量阈以上时,界面之间有增强附着力的存在,而在剂量阈以下,发现了附着力的减弱现象。金和白云母系统只测到了一个剂量阈;而银和白云母系统测出了两个剂量阈,用王水腐蚀白云母上的金属膜时,腐蚀时间随照射剂量的增加而延长。

中子发生器ECR源智能控制的仿真研究

描述了模糊modular神经网络对中子发生器ECR离子源智能控制仿真实验的实现和仿真智能控制的过程。研究了学习过程中规则条数和学习率对理论模型计算结果平均偏差的影响和控制过程中计算束流的偏差随规则条数和学习率的变化。用3种不同的校正因子研究了对仿真实验过程的影响,并在智能控制中取得了满意的仿真实验结果。

组合网络的仿真研究

用模糊 Modular 神经网络模型进行电子回旋共振 (ECR)源的智能控制的仿真实验。在以下三种情况,对 ECR 源智能控制能力进行了模拟:启动或重新启动;从一种控制状态到另一种控制状态;退出状态或者关机的过程。以上智能控制的研究取得了满意的结果。

铝外壳Si(Au)面垒探测器受快中子辐照后性能恢复的研究

本文研究了探测器经注量<10^(13)n/cm^2的快中子辐照后,在重新加偏压过程中它们的反向电流猛增而使性能变坏的原因,然后采用慢加偏压的方式恢复了探测器的性能,延长了使用寿命。

屏蔽快中子源的MonteCarlo模型程序

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟了天然铁屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）￣４Ｈｅ快中子源的物理过程，并用Ｆｏｒｔｒａｎ语言编成了名为ＮＳＭＣＳ程序。程序分为主、一、二、三级，以二级程序为主编成了单一功能的模块，由主和一级程序调用。经调试合格后，进行了天然铁屏蔽快中子的模拟计算，其结果较满意，并与国外数据比较符合很好。

用裂变径迹法测量强中子源的中子注量分布

本文叙述了用裂变径迹法测量强中子发生器中子注量分布的方法。测量了T(d,n)~4He反应氘束0°方向不同距离的中子注量分布,并同铝活化法和理论计算结果进行了比较;还测量了距靶11.3cm的平面上不同角度的中子注量分布,由此结果计算出半径为11.3cm球面上的中子注量分布,并与理论计算结果进行了比较。两者在实验误差范围内基本符合。

用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度

文中使用蒙特卡罗方法，模拟了３００ｋｅＶ氘束流Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律；对计算结果进行解释和分析，得出将中子能量从１４ＭｅＶ慢化到１ＭｅＶ以下所需的最佳屏蔽厚度。所得结果与国际上同类屏蔽体所取参数相一致，具有一定的应用参考价值。

14MeV中子治癌机中治疗头屏蔽体的优化设计

应兰州大学１４ＭｅＶ中子治癌机中治疗头屏蔽体的设计需要，利用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＮＰ程序）模拟计算了一个复合屏蔽的（采用１００ｃｍ源皮距下，国际上一般采用１００—１２０ｃｍ）中子输运过程，计算了 １４ＭｅＶ快中子源在复合屏蔽的不同组合时的透射剂量率，优化设计了最经济实用的屏蔽体的方案，为治疗头的屏蔽设计提供了可靠的科学依据。

强流中子发生器n-γ辐射场参数的测量

为满足强流中子发生器14 MeV 中子的辐照实验要求,已建立了基本配套的中子注量测量装置和两个环境剂量监测站.在样品待辐照的近靶区,测量了中子能谱、中子和γ剂量的空间分布.n-γ辐射场参数的测量将为中子物理实验和加速器的安全运行提供有用数据.

兰州九洲台黄土中石膏裂变径迹年龄测定及黄土形成时代的探讨

用裂变径迹法对兰州九洲台黄土中同生石膏矿物作了年龄测定,得出年龄值为1.46—1.52Ma,从而推断九洲台黄土形成时代应早于1.5Ma。

氟中毒绵羊骨骼与牙齿中氟分布特征的研究

本文介绍了^(19)F(p,αγ)^(16)O核反应测定氟中毒绵羊牙齿和骨骼中的氟深度分布,质子束能量为3.2MeV。分布呈现扩散特征,表明氟离子扩散可能是引起牲畜牙齿和骨骼氟中毒病变的重要因素。

使用直接模拟法研究选择快中子屏蔽参数

使用蒙特卡罗直接模拟法模拟了300keV氘束流T（d，n）4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律。分析了不同介质厚度的铁对中子的反射性质和吸收性质，这些解释和分析对快中子球壳屏蔽参数的选取具有重要价值。

快重离子束引起的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应

对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同类型的增强附着效应。用扫描电镜对低剂量轰击出现附着增强区域的硅基底表面进行观察,未发现任何微裂现象。这与人们在解释Au-SiO_2膜系出现类似增强附着时提出的微裂观点不相符合。

快重离子束诱发金属薄膜在基底上的附着增强效应

用 ＭｅＶ能量的 Ｃｌ离子束辐照金属薄膜／绝缘体和硅基底。测量到薄膜在基底上附着增强的阈值剂量，在铜／硅体系中观测到低剂量和高剂量阈值。