壳聚糖和PHBHHx用作神经修复导管材料的研究

壳聚糖 (Chitosan)和 PHBHHx(羟基丁酸酯和羟基己酸酯共聚物 )都是天然可降解材料。我们通过对这两种材料的亲水性、保持吸附蛋白有序结构的能力、胎鼠大脑皮层细胞在材料上生长情况以及两种材料的机械性能和后处理可加工性的研究 ,综合评价了它们作为神经修复导管材料的可行性。指出它们都有希望作为神经修复导管的材料。

壳聚糖及相关材料用于神经修复的前景

壳聚糖 (Chitosan)是一种具有优良的生物相容性的生物可降解材料。我们从壳聚糖的带正电性、吸附蛋白的能力、对神经细胞的特异性及表面的粗糙程度。

羟基丁酸酯和羟基己酸酯共聚物的神经亲和性研究

PHA具有良好的力学性能并能完全被生物降解 ,PHBHHX 是短链和长链单体共聚的PHA ,具有硬度和韧性都好的特点。研究PHBHHX 的亲水性、保持蛋白质在材料上有序结构变化的情况及Hela细胞和鼠大脑皮层神经细胞在材料上的生长情况 ,说明PHBHHX 是很有希望的神经修复材料 ,并且通过热分析法 (DSC)得到其熔点 ,使之便于以后的处理加工。

扫描探针显微镜测壳聚糖材料的表面电荷分布

提出一种测量材料表面电荷是非均匀的、没有中性区的弱电荷的方法。即测试时,利用扫描探针显微镜(SPM)的静电力显微镜(EFM)测量技术,依靠轻敲模式(TappingMode)和抬举模式(LiftMode),用相位成像测量有机高分子膜———壳聚糖膜(CHI)的表面电荷密度空间分布,但由于仪器设计中相位的泰勒展开是:sinΔΦ≈1/2ΔΦ,所以所获的电荷图像只能确定材料的表面电荷分布和表面电荷密度的近似值。然而,嵴宽约为2.12μm表面正电荷微沟槽结构的这种特殊电荷形貌分布有利于细胞的生长,因此获得的表面电荷分布补充了生物材料表面理化性质。

射频溅射沉积不同厚度Ca膜退火直接形成Ca_2Si膜(英文)

使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si(100)衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜。随后,800℃真空退火45分钟、1小时和1.5小时。半导体钙硅化物,即立方相的Ca2Si膜和简单正交相的Ca2Si膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上。实验结果指明在多相共生的Ca-Si化合物中,Ca膜的沉积厚度、因溅射而生长的Ca-Si化合物的生长厚度决定了某一个单相的钙硅化物独立的生长。另外,退火温度为800℃时,有利于单相钙硅化物的独立生长。并且,退火时间也是关键因素。

不同射频溅射功率下直接制备Ca_2Si薄膜(英文)

磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的Ca2Si薄膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上.实验结果指出,在多相共生的Ca-Si化合物中,沉积Ca薄膜时的射频溅射功率影响了立方相Ca2Si薄膜的质量;最优化的溅射功率是85 W.另外,退火温度为800℃时,有利于单一相Ca2Si的独立生长.并且,退火时间也是关键因素.

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。

退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。

不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响木

采用磁控溅射方法，在不同的溅射气压（Ar气0．5-3．0Pa）条件下沉积纯金属Fe到Si（100）衬底上，通过真空退火炉在800℃对样品进行保温2h，直接形成了正交的β-FeSi2薄膜，利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、椭偏光谱仪，对不同溅射气压下合成的β-FeSi2薄膜的结晶特性、表面形貌及光学性能进行表征，研究了不同溅射气压对制备β-FeSi2薄膜的影响。结果表明：在1．5Pa时能形成较好的β-FeSi2薄膜，临界溅射气压在2．0Pa附近，当溅射气压低与临界值时，β-FeSi2薄膜的成核密度较高，且成核密度随溅射气压的增大而降低；当溅射气压超过临界值以后，β-FeSi2薄膜的成核密度基本不变；薄膜的折射率n随压强的增大而增大，消光系数k随压强的增大而减小。

有源电力滤波器谐波检测方法综述

综述了目前已有的谐波检测方法,对目前流行的谐波检测新方法如小波变换、瞬时无功功率理论和神经网络等的原理及发展现状进行了叙述,简要概括了各种谐波检测方法的特点。

杉木复合材料的制备和研究概况

简要地概述了目前杉木复合材料的制备和性能研究进展,综合介绍了杉木复合材料的制备工艺、影响因子和物理、力学性能的特点等,并提出了杉木复合材料的应用前景和发展方向。

环境半导体材料Ca_2Si的电子结构研究

运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.

溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响

采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了si-ca-si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面（断面）形貌的影响，并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿（111）向择优生长的特性，当溅射功率为120W时，Ca2Si薄膜变的均匀、致密，在400-800nm波长范围内，溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。

γ-射线辐照对壳聚糖薄膜的改性研究

由于神经受损之后难以自发成功再生 ,经常导致永久性机体功能丧失。所以对损伤神经进行修复就显得格外重要。目前的修复方法之一是用生物可降解的人工神经导管 ,用这种神经修复导管提供神经再生所需的“微环境”以诱导神经再生〔1,3〕。壳聚糖是一种天然氨基多糖 ,具有良好的生物相容性和可降解性 ,因此可用壳聚糖作为人工神经导管材料。但在实际的临床应用中 ,用壳聚糖做的神经导管还存在许多有待解决的问题 ,如材料机械性能较差 ,特别是韧性。针对这一问题 ,本文采用 γ-射线辐照对壳聚糖进行了改性研究 ,以期获得有利于其韧性提高的措施。结果发现辐射剂量在一定范围 ,经 γ-射线辐照的壳聚糖薄膜的机械性能得到了明显地提高 ,并且在此辐照范围内 。

天门冬氨酸对精氨酸激酶的作用研究

应用酶活测定、荧光发射光谱等方法分析了精氨酸激酶在不同浓度天门冬氨酸中活性变化和去折叠动力学。实验结果表明:天门冬氨酸引起精氨酸激酶失活与去折叠,并且过程中没有蛋白质的聚沉;精氨酸激酶的去折叠遵循一级反应动力学的二相过程,包括快相和慢相;失活与天门冬氨酸浓度呈正相关;当去除天门冬氨酸的影响,精氨酸激酶的活力能得到恢复。通过对比实验结果暗示,天门冬氨酸是通过其解离状态的H+改变了机体pH值而影响精氨酸激酶活性的,并且就天门冬氨酸对精氨酸激酶影响及其意义进行探讨。

环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展

Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。

微观数字态

当组成电子系统的元件或神经系统的细胞的尺度(或其间隙)缩至纳米量级以下时,量子规律必然要起作用.在这种超微结构中表达的一个二进制数,就相当于系统的一个微观态,这些微观态的复杂性由二进制数的位数确定.从不同形式的不对易代数,可得到微观数字态的不同表示,反映了理论上量子规律的多样性.要选择合适的不对易代数,必须通过实验才能获得.另外,把“拟荷”这个抽象概念与微观体系的能级联系起来,使之成为可观测的物理量,从而可应用物理方法对微观数字系统进行定量分析.

环境半导体Ca_2Si薄膜制备及椭偏光谱研究

采用磁控溅射系统成功地制备出了环境半导体Ca2Si薄膜,并对制备出的Ca2Si薄膜进行了椭偏光谱测量研究,得到了不同退火温度下Ca2Si薄膜的光学常数谱.结果表明,Ca2Si薄膜的折射率在4.3 eV附近取得极小值,其消光系数在3.3 eV附近取得极大值.

P掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论第一性原理超软贋势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质,分析了P掺杂对Ca2Si的能带结构、电子态密度、光学性质的影响.计算结果表明:掺入P后Ca2Si的能带向低能方向偏移,禁带宽带为0.557 95eV,价带主要由Si的3p,P的3p以及Ca的4s、3d电子构成,导带主要由Ca的3d电子贡献.通过能带结构和态密度分析了P掺杂正交相Ca2Si的复介电函数、折射率、反射谱、吸收谱和能量损失函数,结果表明P掺杂增强了Ca2Si的光利用率,说明掺杂能够有效改变材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发、应用提供理论依据.

(110)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响

采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%～102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%～104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）光电传输性能的有效手段.