AN-9729 100WLED街道照明用半桥LLC谐振变换器的应用设计

本文介绍了用于大功率LED照明领域采用了半桥LLC谐振变换器的LED驱动系统，该系统对于传统PWMDC—DC变换器而言，采用非隔离型DC—DC变换器控制LED的电流和发光强度，会导致其功率转换效率降低。而半桥LLC谐振变换器不仅可以控制LED电流，而且可以大幅提升功率转换效率。另外，整个LED驱动系统的成本和体积也得到了降低及减小。

谐振变换器用新品功率MOSFET—UniFETTM耐用体二极管特性

在服务器电源和通信电源应用领域，谐振变换器是一种十分令人关注的拓扑。它具有提升功效，减少元器件数量和抑制电磁干扰等优点，但是体二极管的使用有时会导致系统故障。为适应谐振变换器，提出了一种被称为UniFETII的新型功率MOSFET。它提升了体二极管的耐用性和COSS中的输出存储能量，使负面影响最小化。首先介绍了LLC谐振变换器和MOSFET的故障机理，在此基础上详细描述了UniFETTM II MOSFET技术和应用优势，并通过实验验证其正确性。结果证明MOSFET—UniFETTM在减少了门极电荷和输出电容存储能量的同时，提高了开关频率，降低了驱动损耗和输出电容损耗。

杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响（中）

15-kV SiC IGBT的设计与优化 图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。