钇掺杂量和膜厚对HfO_2纳米薄膜相结构的影响

二氧化铪(HfO_2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响。采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO_2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析,明确了四方/立方相在室温下稳定的临界钇掺杂量和临界膜厚条件,并对薄膜介电系数随晶相结构的演变以及漏电流进行了测试分析,研究结果对于HfO_2材料的微纳电容器件应用具有重要参考价值。

衬底温度对直流反应磁控溅射TiN电极薄膜显微结构及导电性能的影响

二氧化铪基新型铁电薄膜器件等研究提出了在低衬底温度下制备高导电性和低表面粗糙度纳米超薄TiN电极薄膜的迫切需求。利用直流反应磁控溅射方法在单晶硅基片上制备TiN薄膜,衬底温度范围从室温~350℃,以XPS、XRD、AFM以及XRR等为主要手段对薄膜样品的成分、物相、表面粗糙度以及厚度和密度等进行了表征分析。结果表明在350℃的较低衬底温度下,通过减少溅射沉积时间可获得厚度<30nm的高导电性TiN电极薄膜。