一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。

Switching Characteristics of Phase Change Memory Cell Integrated with Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Ge2Sb2Te5 基于与金属氧化物半导体域效果晶体管(MOSFET ) 综合的阶段变化存储器设备房间用标准 0.18 亩 m 被制作互补金属氧化物半导体进程技术。它显示出稳定的切换的特征在当前电压的测量。与 2.0 V 和 50 ns 的脉搏宽度的电压脉搏高度从水晶的状态把现象改变到非结晶的状态的阶段也被获得。这些结果显示出与 MOSFET 集成阶段变化记忆房间的可行性。

高速光导开关传输效率的研究

本文报导了在用掺铬半绝缘砷化镓为材料的高速光导开关的制作中采用硅离子注入工艺。直流及瞬态响应特性的测试结果表明:金属电极与介质基片间的接触电阻大大减小,开关的传输效率明显提高,输出电脉冲幅度增加了一个数量级左右。

GaAs非对称波导形耦合器研究

在(100)GaAs同质结外延衬底上(波导层厚3μm,杂质浓度n^-≈10^(15)/cm^3)研制了非对称波导X交叉型3dB耦合器,对称波导条宽6μm,分叉角0.8°;非对称波导宽臂条宽6.5μm,窄臂条宽5.5μm。分叉角0.4°,波导脊高1μm。实验结果证明,该器件具有良好的3dB耦合特性,并获得15dB的消光比,可以成为集成光学的基础元件之一,在研制2×2集成光学器件方面有广泛地应用前景。