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锑掺杂对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜应力及其太阳电池性能的影响
1
作者
孙雨豪
陈春阳
+4 位作者
杨帅博
俞乐
黄海斌
檀仔航
孙孪鸿
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第6期531-537,共7页
Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜中的应力是影响其柔性太阳电池弯曲稳定性的重要因素。采用电子束蒸发法在Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)金属预制层中蒸发不同厚度(20、40、60、80 nm)的Sb薄膜,并结合后硒化的方法对CZTSSe薄膜进行Sb掺杂。...
Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜中的应力是影响其柔性太阳电池弯曲稳定性的重要因素。采用电子束蒸发法在Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)金属预制层中蒸发不同厚度(20、40、60、80 nm)的Sb薄膜,并结合后硒化的方法对CZTSSe薄膜进行Sb掺杂。研究发现Sb掺杂可以有效改善CZTSSe薄膜的结晶质量,提高太阳电池的光电转换效率(PCE)和弯曲稳定性。当Sb掺杂层的厚度为40 nm时,可以在最大程度上提升CZTSSe薄膜的结晶质量,相比未掺杂Sb的情况,其残余应力从-3.93 GPa降低至-2.19 GPa,其太阳电池的PCE由2.04%提升至4.41%;在弯曲角度60°、弯曲100次后,柔性CZTSSe薄膜太阳电池的PCE仍能保持原有效率的89.8%以上,表现出优异的弯曲稳定性。
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关键词
CZTSSe薄膜太阳电池
Sb掺杂
残余应力
光电转换效率(PCE)
弯曲稳定性
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职称材料
题名
锑掺杂对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜应力及其太阳电池性能的影响
1
作者
孙雨豪
陈春阳
杨帅博
俞乐
黄海斌
檀仔航
孙孪鸿
机构
金陵科技学院材料工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第6期531-537,共7页
基金
国家自然科学基金(62304093)
中国博士后科学基金(2022M722339)
江苏省大学创新创业训练计划项目(202313573037Z)。
文摘
Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜中的应力是影响其柔性太阳电池弯曲稳定性的重要因素。采用电子束蒸发法在Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)金属预制层中蒸发不同厚度(20、40、60、80 nm)的Sb薄膜,并结合后硒化的方法对CZTSSe薄膜进行Sb掺杂。研究发现Sb掺杂可以有效改善CZTSSe薄膜的结晶质量,提高太阳电池的光电转换效率(PCE)和弯曲稳定性。当Sb掺杂层的厚度为40 nm时,可以在最大程度上提升CZTSSe薄膜的结晶质量,相比未掺杂Sb的情况,其残余应力从-3.93 GPa降低至-2.19 GPa,其太阳电池的PCE由2.04%提升至4.41%;在弯曲角度60°、弯曲100次后,柔性CZTSSe薄膜太阳电池的PCE仍能保持原有效率的89.8%以上,表现出优异的弯曲稳定性。
关键词
CZTSSe薄膜太阳电池
Sb掺杂
残余应力
光电转换效率(PCE)
弯曲稳定性
Keywords
CZTSSe thin film solar cell
Sb doping
residual stress
photoelectric conversion efficiency(PCE)
bendingstability
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
锑掺杂对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜应力及其太阳电池性能的影响
孙雨豪
陈春阳
杨帅博
俞乐
黄海斌
檀仔航
孙孪鸿
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
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