致密SiC涂层的低压CVD成型工艺研究

为了改善碳材料的抗氧化性能,同时促进SiC涂层的工程化应用,本文采用低压CVD工艺沉积SiC涂层,研究致密SiC涂层的成型工艺。同时,对SiC涂层的沉积速率进行研究。实验结果表明:最佳的CVD沉积温度为1100℃,低温度促进SiC的定向生长,高温度使SiC产生气相沉积造成稀疏涂层。SiC涂层在石墨基体表面的沉积速率随温度的提高逐渐下降。混合气体比例(MTS∶H_(2)∶Ar)的增加促使SiC颗粒的尺寸逐渐减小,同时涂层的致密性也随之下降。此外,涂层的沉积速率先下降再上升。为获得致密的涂层,同时也要保证沉积速率,MTS流量应选择为10 sccm。

SiO_(2f)/SiO_(2)透波复合材料防潮涂层性能研究

石英纤维增强石英陶瓷基(SiO_(2f)/SiO_(2))复合材料因其固有特性易发生吸潮,严重影响其透波性能,通过对SiO_(2f)/SiO_(2)复合材料进行疏水改性、封孔层及面漆层处理得到高性能防潮涂层。涂层具有优异的疏水性,封孔层有效填充孔隙,同时面漆层形成致密薄膜,进一步提高整体防潮性能。涂层附着力、介电性能皆满足使用要求,涂敷防潮涂层后,样品24h泡水增重率从10%降至0.4%,交变湿热吸湿率从8%降至0.6%。涂层将SiO_(2f)/SiO_(2)复合材料的弯曲强度提高了33.9%。经过石英灯烧蚀,涂层碳化极少,表明其高温透波性能优异。此外,涂层通过组合级环境试验,该防潮涂层可有效解决航天透波结构件的吸潮难题。