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BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析
被引量:
3
1
作者
丁英涛
吴兆虎
+1 位作者
杨宝焱
杨恒张
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期65-69,共5页
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变...
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.
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关键词
同轴TSV
BCB介质层
热应力
有限元分析
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职称材料
题名
BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析
被引量:
3
1
作者
丁英涛
吴兆虎
杨宝焱
杨恒张
机构
北京理工大学信息与电子学院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期65-69,共5页
基金
国家自然基金资助项目(62074015,61774015)。
文摘
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.
关键词
同轴TSV
BCB介质层
热应力
有限元分析
Keywords
coaxial TSV
BCB dielectric layer
thermal stress
finite element analysis
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析
丁英涛
吴兆虎
杨宝焱
杨恒张
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
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职称材料
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