干涉型太阳选择性吸收涂层的光学性能设计

利用等效媒质理论对铝复合单层膜的光学性能进行计算并以此为基础优化设计了具有干涉效应的铝复合选择性吸收涂层。该吸收层为两层时膜系光谱曲线具有最明显的干涉效应，与多层吸收层膜系相比其发射率低，吸收率二者相同，随温度的升高，发射率的变化前者较后者缓慢。实际制备了金属填充因子ｆＡｌ为０．３８、０．２４的铝复合膜为吸收层，ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３为减反射膜构成的膜系，其光谱曲线与优化的理论曲线吻合较好。

干涉-吸收型太阳光谱选择性吸收表面

基于等效媒质理论，用透反法确定了单靶溅射沉积的铝－氮复合膜的填充因子，并研究了不同填充因子复合膜以及由两层不同填充因子复合膜构成的干涉－吸收型选择性吸收涂层的热处理性能。结果表明，合理地选取复合膜的填充因子及厚度，可使刚沉积及经在真空中400℃，500℃保温1h热处理后的膜系的太阳吸收比α（AM2）＞0．94。80℃的法向发射比εn约0．04．α／εn＞20。

磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ２，溅射气体压强１．３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０次电化学循环后，漂白态与着色态的可见光透射率之差约为０．５７，其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，Ｈ＋注入后着色态膜内出现了Ｗ５＋、Ｗ４＋。对电致变色机理也作了讨论。

结晶态WO_3膜电致变色性能及机理

磁控溅射沉积获得的非晶态WO3膜在空气中分别加热200℃，250℃，300℃，350℃及400℃，并保温30min进行热处理。随着热处理温度的提高，非晶态WO3膜的电致变色性能下降。当热处理温度高于350℃时，非晶态转变成结晶态。着色的结晶态WO3膜在可见光谱范围（0．38～0．78μm）及太阳光谱范围（0．34～2．5μm）内吸收调制能力低于非晶态WO3膜，但是结晶态WO3膜在近红外区有较强的反射调制。基片加温到220℃以上沉积得到的WO3膜均为结晶态。这种结晶态膜的电致变色性能优于空气中热处理得到的结晶态WO3膜，但两种膜的变色性能与各自的制备温度没有明显的依赖关系。在相同的电化学测试参数条件下，结晶的WO3膜的变色响应速率低于非晶态膜。利用X射线光电子能谱（XPS）及X射线衍射分析判定，结晶态WO3膜在HCl电解液中施加电信号发生着色／退色是由于H＋的注入／抽取所致，在着色的膜中存在着W6＋，W5＋及W4＋离子。

一种“绝对型”电容薄膜真空计的研制

介绍用磁控溅射制作的从大气往真空约覆盖5个量程的“绝对型”电容薄膜真空规，以及与该真空规配套的真空计的电路。该真空计测量范围为1．3～105Pd，真空规与电容信号检测电路置于同一金属壳内，以避免外界干扰。规的恒温胜温度波动小于±0．1℃，有效地降低了温度的影响。电路的非线性小于0．4％，高真空下北输出漂移小于0．1％，在13～105Pa各量程内，最大校准误差小于读数的4％。

PMMA+LiClO_4有机薄膜的离子导电性能

用 PMMA预聚合单体与 Li Cl O4粉末以不同比例直接混合均匀 ,固化成 3mm厚的板 ,以它为靶 ,在纯氩气气氛及 rf -溅射沉积条件下制备各种薄膜 ,用双电层电容常数法研究它们的离子导电性能。在室温下测试 ,外加信号 1 2 0 m V,频率 40 0 Hz。实验结果表明 ,当氩气压强 (PA r)为4.7— 7.2 Pa,靶掺杂质量比为 1 0 % ,射频功率密度为 3.9— 4.2 W/ cm2 时得到的薄膜为离子导体。当氩气压强为 6.0 Pa,射频功率密度为 4.2 4 W/ cm2 时 ,膜的双电层电容常数为 7.0× 1 0 -2 μf/ cm2 ,离子导电性能最好 ,其电阻率 >1 0 1 1Ω .cm。利用该离子导体薄膜制备的可变反射电致变色镜 ,Al(40 nm) /α- WO3(1 0 0 nm) / PMMA +Li Cl O4(1 60 nm) / Ni O(80 nm) / ITO/ glass,着色态和漂白态可见光平均反射比分别为 0 .2 3和 0 .69。利用红外光谱 (1 90 0— 50 0 cm-1 )对纯 PMMA和 PMMA +Li Cl O4离子导体进行分析 ,发现离子导体膜“- C- O- CH3”侧链的吸收峰在 1 1 85.7cm-1 ,非离子导体膜的吸收峰在 969.2 cm-1处 ,前者侧链具有较强的极性。