4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .

广东省1997～2006年生态足迹及承载力研究

利用修正后的生态足迹模型分析广东省1997～2006年近10年生态足迹和生态承载力变化情况。研究表明,广东省1997～2006年的人均生态赤字呈"W"变化趋势:即1997～1998年下降,1999～2001年上升,随后两年下降至2003年,然后又持续上升直到现在。总体而言,1997～2006年间,广东省经济社会发展是建立在对自然生态透支的基础之上,即处于不可持续的状态。

基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型

采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 。

离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响(英文)

采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 。

表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响

分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.

SiC MESFET的大信号电容解析模型

考虑 4H SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点 ,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论 ,结合双曲正切函数的描述方法 ,导出了适用于 4H SiCMESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型 ,其模拟结果与实验值有很好的一致性 .该模型具有物理概念清晰且算法简单的优点 。

基于游客角度的旅行社品牌价值研究

品牌价值是一种超越企业实体和产品以外的价值,对旅行社来说更是一种潜在的利润和收益。但目前我国对旅行社品牌价值意识的觉醒较晚,对旅行社品牌价值的研究也只是处于摸索阶段,品牌价值的管理和提升方面与市场的要求、游客的期待都相距甚远。文章从游客的角度来研究旅行社的品牌价值,首先构建了基于游客的旅行社品牌价值概念模型;其次探讨了旅行社品牌价值的四个维度是怎样影响游客的品牌价值表现并通过实证加以证实,最后,根据研究结果提出旅行社品牌价值管理和提升的对策建议。

利用Landsat数据对广州城市进行热岛效应分析

应用中国遥感卫星获取的广州市区2002年11月份的Landsat 7 ETM+数据,对广州市热岛效应的分布特征进行了研究。结果表明,城市热岛效应主要分布在工业密集、能耗大、热源强度高的区域。

超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.

应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET

根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析 。

导游服务公司的未来发展思路

随着我国旅游市场迅猛发展和旅游黄金周的出现，导游队伍迅速扩大，社会导游成为导游大军的主体。而且随着竞争日益激烈，各旅行社纷纷开始整合资源、降低成本、提高竞争力，聘用社会导游成了旅行社普遍采用的降低成本方式。针对这一情况，国家旅游局督促各地建立导游服务机构对社会导游员进行管理。

PECVD法TiSi_2薄膜的制备工艺研究

本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试分析,证明采用PECVD方法制备TiSi_2薄膜的工艺是完全可行的。

PECVD法淀积TiSi_2薄膜性质及应用研究

利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了TiSi_2薄膜的等离子刻蚀情况.分别采用I—V法和C—V法测量了TiSi_2/Si接触的肖特基势垒高度.利用圆形传输线模型外推法求得了TiSi_2/Si引的接触电阻率,这比同样条件下Al/Si的接触电阻率低一个数量级以上.

二硅化钛/硅的肖特基势垒研究

采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特性曲线.

基于“国家公顷”生态足迹模型的广东省生态安全研究

从国家公顷概念的角度出发,利用广东省与国家土地平均生物生产力的比较关系修正了传统生态足迹模型中的均衡因子与产量因子,更加准确地计算了广东省人均生态足迹及人均生态承载力及其变化趋势。结果显示,研究期内广东省土地生态供给出现持续赤字的情况,人均生态赤字呈现先下降后上升的趋势。通过人均生态赤字与人均收入建立的协整关系模型发现,广东省人均生态赤字的逐年累积效应显著,而人均收入用于消减生态赤字的效应相对滞后。因此,转变经济增长和居民消费方式仍是广东省社会、经济、环境协调发展亟需解决的关键问题。

潮州市经济发展与环境关系分析评价

在对当前环境-经济系统指标体系进行分析的基础上,建立了潮州市环境与经济系统评价指标体系;在指标体系赋权中,探讨了赋权方法的选取,主观赋权和客观赋权相结合;运用所建指标体系对潮州市生态环境与经济系统协调发展状况进行了分析,潮州市的环境综合指数明显高于其经济综合指数,"十五"期间潮州经济与环境协调指数呈上升趋势。

游客对电子语音导览的需求研究——以湖南省博物馆为例

了解游客对电子语音导览的需求,对于解说系统的规划和设计有很强的指导意义。从游客的角度出发,以湖南省博物馆为例,通过问卷调查研究了游客对电子语音导览的需求,并探讨了游客属性、参观特性与其对电子语音导览需求之间的关系。研究发现,游客对电子语音导览的需求很高。由于游客属性和参观特性不同,游客对于湖南省博物馆解说服务的需求有显著差异。

4H-SiCN离子注入层的特性(英文)

研究了在 4 H- Si C p型外延层上用 N离子注入制备 n型层的方法及其特性 ,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件 TRIM进行了模拟 .为了测试注入层的特性 ,制备了横向肖特基二极管和 TL M(transfer length m ethod)结构 .测得的 N激活浓度为 3.0× 10 1 6 cm- 3,计算出激活率为 0 .0 2 .注入层方块电阻为 30 kΩ/□ ,电阻率为 0 .72 Ω·cm,并计算出电子迁移率为 30 0 cm2 / (V· s) .

包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 。

4H-SiC功率MESFET的击穿特性

研究了 4 H- Si C MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性 .建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型 ,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用 .综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响 .采用准静态方法 ,求解瞬态偏微分方程组 。