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化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
1
作者
杨柳滨
江素华
+1 位作者
郝茂盛
李越生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期351-354,共4页
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与...
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。
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关键词
分光光度法
Forouhi-Bloomer离散方程
铝镓氦
组分分析
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职称材料
题名
化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
1
作者
杨柳滨
江素华
郝茂盛
李越生
机构
复旦大学材料科学系国家微分析中心
上海蓝光科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期351-354,共4页
基金
上海市科学技术委员会科研计划项目资助(06DZ11414)
上海市重点学科建设项目资助(B113)
文摘
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。
关键词
分光光度法
Forouhi-Bloomer离散方程
铝镓氦
组分分析
Keywords
spectrophotometry
Forouhi-Bloomer dispersion equations
A1GaN
multi-component determination
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
杨柳滨
江素华
郝茂盛
李越生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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