脉冲软X射线发生器的实验研究

本文研究了喷气式Z箍缩等离子体中软X射线(2keV<hv<6keV)的发射源。发射源是一些不连续的热点。测量了热点发出的软X射线的产额,探讨了气体初始密度对软X射线产额的影响。

等离子体聚丙烯薄膜的电气及湿敏性能

在射频辉光放电条件下制备出等离子体聚丙烯薄膜．用红外吸收光谱（ＩＲ）、用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了聚合膜的本体及表面结构；测量了聚合膜的电气特性和湿敏特性。

残余气体对等离子体制备聚合膜的影响

以苯乙烯蒸气作为聚合反应单体，在射频低气压等离子体中形成聚合物薄膜，研究了残留于等离子体反应室中的空气杂质对等离子体聚合过程及薄膜结构的影响，并讨论了消除这种影响的可能途径。

PPS膜电容式湿敏元件

本文介绍了PPS膜电容式湿敏元件的结构和特性,并提出了提高元件性能的措施。

单体流量对苯乙烯等离子体聚合过程影响的光谱分析

单体流量是影响等离子体聚合沉积过程的重要宏观参数之一。本文应用发射光谱方法研究了苯乙烯单体流量变化时，ＣＨ，Ｃ４Ｈ粒子发射强度的变化情况，用红外吸收光谱法分析了等离子体聚苯乙烯膜的本体结构，并测量了相应放电条件下膜的沉积速率。结果表明，流量变化影响了等离子体内部碰撞过程及活性粒子的驻留时间，从而对聚合物沉积膜的结构和沉积速率产生影响。

等离子体焦点脉冲X射线源

介绍了脉冲Ｘ射线源ＤＰＦ－２００等离子体焦点装置，总储能２５０ｋＪ、回路电感５０ｎＨ、工作电压２０～４５ｋｖ、最大放电电流２．５ＭＡ．１７个大容量场畸变火花开关并联放电，开关时延分散性±１０ｎｓ。放电室是Ｍａｔｈｅｒ型结构，工作气体为氢气，在气压５３３～８００Ｐａ、储能４０ｋＪ时，单次放电Ｘ射线总剂量达５０～９０Ｊ，脉宽１００～２００ｎｓ。测得Ｘ射线能谱范围３～６０ｋｅＶ。装置工作稳定，已放电近１０￣４次。

电容式高分子湿敏元件的研制

用等离子体聚合技术,制得一种结构新型和性能优良的电容式高分子湿敏元件.

等离子体聚合介质膜的感湿机理研究

介绍了等离子体聚合方法,重点讨论了已完成的功能高分子湿敏介质膜的感湿机理及其与工艺的联系,并给出结论.

等离子体焦点装置径向运动电流壳层的不稳定现象

在ＤＰＦ－４０等离子体焦点装置中，首次观测到径向运动电流壳层的一种不稳定现象，即不稳定模式。它属于ｍ＝０模的ＭＨＤ不稳定性，但仅具有半个波长并且发生在等离子体－电极边界上。在相继的一系列放电中，该不稳定模式与通常的稳定模式以随机方式发生。两种模式对壳层和箍缩等离子体的位形结构和运动方式及中子产额等具有显著的影响。不稳定模式的中子产额较低，而稳定模式的中子产额则较高，因而引起平均中子产额下降，且分散性增大。

用复合参数研究等离子体聚苯乙烯膜的沉积过程

本文以苯乙烯作为单体在射频辉光放电条件下沉积出等离子聚苯乙烯薄膜，这种膜可用作湿度敏感膜。应用每一单体分子所承受的放电功率平均值Ｐｍ作为复合参数，研究该复合参数与等离子体发射光谱强度、膜沉积速率之间的关系。在Ｐｍ的实验值范围内，沉积速率有两个极大值出现。这一现象可用聚合膜沉积过程包含自由基和离子两种成膜机制来解释。

用辉光放电等离子体制备湿敏膜的研究

本文应用射频辉光放电等离子体技术在电容式耦合反应室内制备等离子体聚苯乙烯（ＰＰＳ）膜，采用铝膜－聚合膜－金膜的平板电容器结构研究了聚合膜电容器的电容量随湿度变化的特性。结果表明，等离子体聚合膜电容器对湿度变化的响应时间在１．５ｍｉｎ之内，湿滞和温度系数小。此外，还分析了聚合膜的结构并讨论膜结构与湿敏性能的关系。

喷气式Z箍缩等离子体装置的研制

本文介绍了我国第一台喷气式Z箍缩等离子体装置的设计和运行,讨论了起始氩气密度对等离子体箍缩的影响,研究了热等离子体中的软X射线发射。这台装置的建成为我国进行X射线光刻技术的研究提供了一种重要手段。

高强度脉冲软X光源

本文介绍清华大学电机工程系研制的一种高强度软X光源,这种光源是由喷气式Z箍缩等离子体产生的。阐述了Z箍缩装置的工作原理,研究了装置的运行参数(如充电电压、充气密度等)对软X射线发射的影响。用热电堆测量了X射线的产额。并介绍了用无窗XRD(X射线二极管)测量脉冲x射线的初步结果:光源处的X射线总能量超过100J,发射时间约100ns,其功率达10~9W以上。

气体条件对Z箍缩等离子运动的影响

用实验的方法研究了初始气体密度的分布对Z箍缩等离子运动的影响,阐明了不仅气体密度而且气体密度的分布都对Z箍缩等离子的运动过程产生影响。

喷气式Z箍缩等离子体运动的干涉测量

本文应用激光差分干涉仪研究了喷气式Z箍缩等离子体的运动过程,阐述了氩等离子体在压缩阶段、箍缩阶段及崩溃阶段的运动特性,讨论了氩等离子体在压缩过程中所出现的多次箍缩现象。这些工作在国内是首次开展。

等离子体焦点装置中子发射的研究

研究了 ＤＰＦ－４０ Ｍａｔｈｅｒ型等离子体焦点装置不同电极结构对于中子发射的影响。通过改变电极结构，使装置产生的 ２．４５ ＭｅＶ氖－氖反应（Ｄ－Ｄ）脉冲快中子产额由每次放电 １０８提高到 １０９。该值已接近中子产额定标定律的预期值。中子脉宽约为 ４０～６０ ｎｓ。此外发现，当装置长期连续运行时，绝缘子表面状态的进一步变化对等离子体聚焦运动和中子发射具有不利影响。

苯乙烯等离子体聚合过程的发射光谱研究

为实现对聚合膜结构、性能的优化控制，通过测量苯乙烯等离子体辉光区和两极板鞘层区内的发射光谱，得到了ＣＨ、Ｃ４Ｈ２＋粒子发射强度与放电气压、功率的变化关系曲线，并以此研究了等离子体内部过程与膜结构、沉积速率之间的关系。研究结果表明，等离子体聚苯乙烯薄膜的沉积速率取决于等离子体中所产生的各种活性粒子（包括激发态分子、碎片自由基、离子等）的总数目；而聚合膜中的苯环含量，则与气相中含有苯环基团的那部分活性粒子数目相关。

Observation of the Metallic Vaporfrom a Plasma Focus

Although many scientists suggested that the ionized metallic vapor produced in plasma focus plays asignificantrole in the X ray emission,they did not give a visualimage ofthe metallic vapor.In this paper the evolution of plasma sheath above the anode was recorded with a laser differentialinterferometer and the metallic vapor produced onthetargetsurface by bombardmentofanintense electron beam was observedforthe firsttime. The results can help understanding ofthe physicalprocess ofthe X ray emissionfrom plasma focus.