Micro-OLED显示斜纹Mura的研究及改善

硅基微显示(Micro-OLED)工艺中,在进行驱动线路制备时,需进行化学机械研磨(CMP)处理,保证金属互联层的稳定性及均一性。不同材料对CMP工艺的耐受性存在差别,切割道或净空区通常为介电材料层(SiO、SiNx等绝缘层),较金属膜层区域更易受CMP磨损,经过多次CMP制程后段差累积加深。在进行Spin涂胶工艺时,段差区偏大(>1μm)会引起涂胶、显影后的关键尺寸(CD)差异过大,造成斜纹Mura显示不良。验证发现,调试不同曝光能量与CD均一性无明显相关性;Spin涂胶转速调整对显影后CD均一性有一定改善,但效果有限,无法完全改善。胶厚0.8~2.5μm验证中,当Spin涂覆胶厚大于2.0μm时,能有效减弱涂胶过程的飞溅效应,斜纹Mura的发生率降低到0%。作为根本防止措施,可在切割道或Dummy区域设计与CMP当层相同的Dummy Pattern,提升CMP工艺制程均一性,从而确保斜纹Mura发生率小于0%。

单模双折射色散缓变光纤中拉曼散射与参量放大

根据斯托克斯波和反斯托克斯波所满足的耦合微分方程,考虑泵浦波是线偏振光,其偏振方向沿x轴,推导出了同偏振方向受激拉曼散射和参量放大同时作用下,斯托克斯波和反斯托克斯波的增益系数。研究了色散缓变光纤中增益随失配系数Δk2以及归一化距离z/L的变化关系。结果表明,当非线性系数γ=0时,增益随Δk2的变化情况在正常和反常色散区是完全对称的;而当非线性系数γ≠0时,在反常色散区增益会出现峰值,随后增益随Δk2和z/L的增加而逐渐减小。讨论了反斯托克斯波与斯托克斯波Eax/Esx的比值随失配系数Δk2的增加而快速衰减的变化特性。

色散位移光纤中拉曼散射与参量放大增益谱

由斯托克斯波和反斯托克斯波所满足的耦合微分方程,考虑泵浦波是线偏振光,其偏振方向沿x轴,推导出了同偏振方向受激拉曼散射和参量放大同时作用下,斯托克斯波和反斯托克斯波的增益谱。引入平行拉曼散射增益系数的洛伦兹模型,研究了色散位移光纤中斯托克斯波和反斯托克斯波的增益谱随相关参数的变化关系。结果表明,斯托克斯波与反斯托克斯波的增益谱呈现出不对称,其增益谱与三色散系数β_3无关。同时讨论了反斯托克斯波与斯托克斯波|E_(ax)/E_(sx)|的比值随频移的增加而快速衰减的变化特性。

自陡对光纤耦合器调制不稳定性的影响

当考虑自陡效应时,从光纤耦合器的耦合模方程出发,用偶奇超模对其进行了重写。讨论了当输入条件使奇偶超模的其中之一被单独激发时光纤耦合器中的自陡效应对调制不稳定性的影响。结果表明:在光纤耦合器中不论是正常色散区还是反常色散区,当输入功率一定时,随着自陡参数的增大,调制不稳定性增益谱较多地显示出了强度变弱和宽度变窄,最终导致光纤耦合器的超模发生畸变。