量子点的合成方法与展望

半导体纳米颗粒的尺寸小于或接近体相材料的激子玻尔半径时被称为量子点(QDs)。量子点的电子在各个方向上的运动都会受到限制,其电子能级也不连续,即量子限域效应。量子点以其优异的物理、化学以及生物特性已成为广大科研人员研究的热点。不同合成方法制备的量子点其特性也不同,导致其在不同领域的应用。文章介绍量子点的两种主要合成方法及其改进过程。

热氧化温度对Cr和N共掺ZnO薄膜结构及性能的影响

首先利用共溅射方法在石英玻璃衬底上生长Zn_3N_2:Cr薄膜,然后用热氧化方法制备了Cr和N共掺ZnO薄膜,研究了不同热氧化温度对薄膜的结构、光学带隙及磁学性能的影响,XRD结果表明,薄膜样品具有纤锌矿结构,且沿c轴择优生长,随着热氧化温度的增加,样品的晶格常数c几乎没有改变,而晶粒尺寸先增大后减小。样品的吸收光谱表明温度的升高使薄膜样品的吸收边发生蓝移,即薄膜样品带隙值增大,磁性测试表明500℃热氧化温度获得的薄膜样品室温铁磁性最强。

Al-N共掺ZnO:Co纳米薄膜的制备及其性能研究

利用共溅射技术在石英玻璃衬底上沉积前驱体氮化物,在真空优于4×10-4Pa时、对前驱体氮化物分别在450℃、550℃、650℃温度下热氧化45min后获得Al-N共掺杂Zn O:Co薄膜,利用XRD分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构,氧化温度为650℃结晶质量最好;使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在热氧化温度为450℃、550℃、650℃下制得的薄膜样品带隙分别为3.18、3.06、3.10e V;利用振动样品磁强计对样品的磁性进行测试,结果表明样品在室温下具有铁磁性,当热氧化温度为450℃时,磁学性能最好。