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无人机用锂离子电池散热设计
被引量:
3
1
作者
杨菁国
杜鸿达
+2 位作者
郑心纬
李佳
康飞宇
《自动化应用》
2017年第9期65-68,共4页
首先采用实验和参数拟合的方法得到无人机用锂离子电池的等效热参数和不同倍率下的生热率,然后针对某商用小型四旋翼电动无人机,根据无人机的构型特点设计了以热管传热、机身储热为基础的散热结构,建立仿真模型模拟电池在不同放电倍率...
首先采用实验和参数拟合的方法得到无人机用锂离子电池的等效热参数和不同倍率下的生热率,然后针对某商用小型四旋翼电动无人机,根据无人机的构型特点设计了以热管传热、机身储热为基础的散热结构,建立仿真模型模拟电池在不同放电倍率下的瞬态温度变化,最后通过响应面优化方法,以散热系统质量、电池最高温度为目标函数,对散热系统进行了结构优化。仿真结果表明,以热管传热、机体储热为基础的散热系统能够使锂离子电池温度保持在合理的温度范围内。通过结构优化,能够在增重约40 g的情况下,使平均放电倍率为3C的电池最高温度不超过45℃。
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关键词
无人机
锂电池
散热
仿真优化
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职称材料
应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善
2
作者
卢小雨
蔡巧明
+4 位作者
龙世兵
张烨
张陶娜
杨菁国
张云香
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第2期279-283,共5页
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si_3N_4层应力值、SiO_2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分...
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si_3N_4层应力值、SiO_2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分析,研究了三种因素对NMOS器件性能的影响,优化了工艺条件。结果表明,NMOS器件应用SMT工艺后,饱和漏极电流-关态漏极电流(I_(dsat)-I_(off))较传统NMOS器件提高了6%。
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关键词
应力记忆工艺
NMOS器件
饱和漏极电流-关态漏极电流
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职称材料
题名
无人机用锂离子电池散热设计
被引量:
3
1
作者
杨菁国
杜鸿达
郑心纬
李佳
康飞宇
机构
清华大学深圳研究生院广东省热管理工程与材料重点实验室
出处
《自动化应用》
2017年第9期65-68,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(No.2014CB932400)
国家自然科学基金(No.51232005)
+3 种基金
广东省重点实验室(No.2014B030301005)
深圳市科技创新委员会(No.ZDSYS20140509172959968
KQCX 201405 21161756227
JCYJ20150331151358133)资助
文摘
首先采用实验和参数拟合的方法得到无人机用锂离子电池的等效热参数和不同倍率下的生热率,然后针对某商用小型四旋翼电动无人机,根据无人机的构型特点设计了以热管传热、机身储热为基础的散热结构,建立仿真模型模拟电池在不同放电倍率下的瞬态温度变化,最后通过响应面优化方法,以散热系统质量、电池最高温度为目标函数,对散热系统进行了结构优化。仿真结果表明,以热管传热、机体储热为基础的散热系统能够使锂离子电池温度保持在合理的温度范围内。通过结构优化,能够在增重约40 g的情况下,使平均放电倍率为3C的电池最高温度不超过45℃。
关键词
无人机
锂电池
散热
仿真优化
分类号
TP368.32 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善
2
作者
卢小雨
蔡巧明
龙世兵
张烨
张陶娜
杨菁国
张云香
机构
中国科学院大学微电子学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第2期279-283,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61521064
61322408)
+1 种基金
国家重点研发计划项目(2016YFA0201803)
中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC048)
文摘
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si_3N_4层应力值、SiO_2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分析,研究了三种因素对NMOS器件性能的影响,优化了工艺条件。结果表明,NMOS器件应用SMT工艺后,饱和漏极电流-关态漏极电流(I_(dsat)-I_(off))较传统NMOS器件提高了6%。
关键词
应力记忆工艺
NMOS器件
饱和漏极电流-关态漏极电流
Keywords
stress memorization technique
NMOS device
saturated drain current-off state leakage current
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无人机用锂离子电池散热设计
杨菁国
杜鸿达
郑心纬
李佳
康飞宇
《自动化应用》
2017
3
下载PDF
职称材料
2
应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善
卢小雨
蔡巧明
龙世兵
张烨
张陶娜
杨菁国
张云香
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
0
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