高温超导材料研究进展

超导技术是当下的高新技术之一,对于超导材料的研究一直处于现在进行时.临界温度下的超导材料表现出优异的零电阻特性,能量损耗相对于常规导电材料大幅降低,具有非常高的应用价值.以超导材料发展的时间线为线索,回顾高温超导材料的研究历程.在综合整理国内外研究论文的基础上详细阐述BSCCO、YBCO、铁基超导、MgB_(2)、有机超导体的发展历程、发展现状以及各自特性,并展望超导材料的发展前景.

《微电子封装与测试》课程教学的改革与实践

文章研究了《微电子封装与测试》课程改革与实践的必要性,并对《微电子封装与测试》课程改革与优化的基本步骤、具体措施进行了初步探索。

高温合金氧化膜破坏的界面断裂力学分析

依据双材料模型分析高温合金氧化膜的应力状态,确定了氧化膜弯曲剥落的最大挠度与氧化膜压应力间关系.利用界面断裂力学理论,建立了高温合金氧化膜剥落的弯曲图.镍基高温合金氧化表面剥落的Al2O3氧化膜,在界面粗糙度参数λ为0.3-0.4,临界弯曲指数Ⅱc为1和临界粘附性指数Σc为1.15时,弯曲剥落特性与实验结果相符.高温合金氧化膜的弯曲图合理解释了氧化膜的弯曲剥落过程.

基于氧化膜屈曲破坏的高温合金循环氧化动力学模型

高温合金循环氧化膜弯曲剥落行为等效为弹性基础梁失稳问题 ,利用有限元特征值屈曲分析 ,提出高温合金循环氧化膜弯曲剥落理论 ,建立了高温合金循环氧化动力学模型 .Fe -Ni-Cr -Al合金高温循环氧化动力学计算结果与实验数据相符 ,证明了氧化膜弯曲剥落模型的正确性 .

反应磁控溅射制备超亲水性SiO_2/TiO_2多层膜的研究

本文采用反应磁控溅射的方法在玻璃基片上制备TiO2及SiO2/TiO2多层膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、接触角测定等分析方法对试样进行表征。研究了不同制备工艺对薄膜亲水性能的影响,初步讨论了SiO2/TiO2多层膜的超亲水性机理。结果表明这种多层膜结构,其底层SiO2作用在于阻止玻璃中的钠离子在溅射过程中向薄膜中的扩散,适当厚度的顶层SiO2,一方面利用到了SiO2本身的亲水性,同时也利用到了TiO2薄膜的光致亲水性。因此在制备TiO2超亲水性薄膜的时候,考虑制备SiO2底层和顶层对于亲水性效果有明显的改善作用。

Fe／Pt／Ag多层膜先驱体制备的FePt：Ag纳米复合膜微观结构及磁学性能

研究了采用Fe／Pt／Ag多层膜先驱体技术制备的FePt：Ag纳米复合膜的微观结构和磁学性能与退火温度及Ag含量之间的关系。经400。C退火，组份为Fe39Pt39Ag22薄膜中FePt纳米颗粒的结构为面心四方相，矫顽力达到4．77×10^5A／m，平均晶粒尺寸为6．7nm。结果显示这种新型材料系统很可能适用于超高密度磁存储介质。

TiO_2有序纳米管阵列的阳极氧化法制备

以乙二醇和氟化铵的混合水溶液为电解液,高纯度钛片为电极,采用电化学阳极氧化法制备出表面整洁、高度有序的TiO_2纳米管阵列.系统研究氟化铵含量、电解液浓度,阳极氧化电压、氧化时间对TiO_2纳米管尺寸和形貌的影响.结果表明,当氟化铵质量分数为0.3%,阳极氧化电压为60 V,氧化时间为13 h时,可以制备出表面干净清晰,管长50μm,管径90 nm的高度有序的TiO_2纳米管阵列.

叶酸修饰聚碳酸酯磁性载药微球的制备及其性能

通过十六醇(CA)引发2,2-二甲基三亚甲基环碳酸酯(DTC)开环聚合合成了聚碳酸酯(CA-PDTC),CAPDTC进一步与叶酸(FA)通过酯化反应合成了叶酸修饰的聚碳酸酯(CA-PDTC-FA)。采用FTIR、1HNMR和UVvis证实了所得产物的结构。以吲哚美辛(IMC)为模型药物,Fe_3O_4粒子为磁源,通过乳化法制备了叶酸修饰的聚碳酸酯磁性载药微球(CA-PDTC-FA@Fe_3O_4)。经X射线粉末衍射仪(XRD)、热重分析仪(TG)、动态光散射仪(DLS)和振动样品磁强计(VSM)测试,结果发现:质量分数为9.5%的Fe_3O_4粒子被包裹在聚合物微球中,微球粒径约为320 nm,具有超顺磁性,且对IMC的包载率为4.6%,载药微球在模拟人体环境(pH=7.4,37℃)下36 h后的累积释药量为20.0%,具有缓释效果。

热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究

采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法制得。与已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪（XRD）以及场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）的结果表明，实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上．此外，在常温下测量得到的光致发光（PL）谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好，无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。

TiO2/C复合电极的电容性能

将活性炭与二氧化钛TiO_2纳米纤维混合组成复合电极材料,研究复合方式和比例对复合电极材料及其电容性能的影响.结果表明,随着活性炭比例的增加,TiO_2/C电容器的等效串联电阻迅速降低,比容量和能量密度相应提高.当活性炭与二氧化钛TiO_2比例为2∶1时性能最优,比容量为24.2 F/g,能量密度为3.32 Wh/kg.

FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征

采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了（001）择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征．结果表明，在每一个FbPt单元层中能得到较好（001）面择优的fet相FbPt合金，并且随着B4C含量的增大，薄膜的有序度提高．高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明，FePt层为具有（001）织构的fct相Fe55Pt45合金．样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m；平行膜面方向矫顽力很小．

脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能

采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．

(Bi_(3.15)Nd_(0.85))(Ti_2Fe_(0.5)Co_(0.5))O_(11.5)陶瓷的制备及多铁性能表征

采用改进的固相反应法制备（ Bi3.15 Nd0.85 ） （ Ti2 Fe0.5 Co0.5 ） O11. 5 陶瓷．多铁性能测试结果表明，陶瓷样品具有室温多铁性．样品的剩余磁化为～77memu／g，剩余极化为～1．7μC／cm2，且磁场对介电频谱的影响证实该陶瓷样品的室温磁电耦合效应．

晶界偏析对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

采用溶胶凝胶法制备Ca Cu_3Ti_4O_(12),通过球磨对陶瓷样品进行处理,探究此处理方法对Ca Cu_3Ti_4O_(12)介电性能的影响.研究结果表明,球磨对Ca Cu_3Ti_4O_(12)陶瓷样品的介电常数有较大影响.随着球磨时间的增加,样品介电常数显著增加,当球磨时间为4 h,其室温下介电常数可达10~6量级,比未经球磨处理的样品高2个数量级,且随温度升高,介电常数显著增大.温度上升100 K,介电常数约提高一个数量级.同时SEM分析表明,球磨处理Ca Cu_3Ti_4O_(12)样品介电常数的增大与其晶界偏析有较大的关系,特别是晶界处析出的Cu O二次相可极大地提升Ca Cu_3Ti_4O_(12)的极化率,可提高约2个数量级.

沉积在Si衬底上Co2MnSi薄膜的结构和磁性能分析

将不同厚度的Co_2Mn Si(CMS)薄膜沉积在Si衬底上,并在不同的退火温度下退火,以探究其微观结构以及磁性能的变化规律.保持CMS薄膜退火温度为600℃,随着薄膜厚度增加至100 nm,由于B2结构取向增大,其Ms随之相应增大到923 emu/cc;保持CMS薄膜厚度为50 nm,随着退火温度升高到700℃,可以观察到B2结构取向减小,而且Hc值异常增加到134 Oe,这可能是由于CMS层与Ta层存在相互扩散的现象所导致.

阳极氧化TiO_2纳米管的制备及其储能特性分析

用阳极氧化方法制备形貌有序的TiO_2纳米管,通过X线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析TiO_2纳米管的物相组成和表面形貌,并对TiO_2纳米管分别进行退火处理和还原处理,比较3种TiO_2纳米管的恒流充放电性能和特征.测试结果表明:1)退火处理的TiO_2纳米管及还原处理的TiO_2纳米管与未处理的TiO_2纳米管相比,其储能能量和储能效率显著提高,性能与理想电容器接近;2)还原处理的TiO_2纳米管具有更高的充放电能量密度和储能效率.

含一组短裂隙的有机玻璃爆炸实验研究

为研究岩体中的短节理裂隙对爆炸裂纹扩展规律的影响,通过单发数码电子雷管爆炸加载含一组不同方位裂隙的有机玻璃实验,分析实验结果可以得出:爆破产生的裂隙区中,环向裂隙仅出现在靠近空腔的较少区域内,其他区域没有环向裂隙产生;岩体中原有的短裂隙在爆炸作用下,裂隙端部产生了新的裂隙,使爆破破坏范围加大,裂隙与炮孔的距离及裂隙方位对端部裂隙的发展及分布有不同影响。实验结果对相关研究及生产实践有一定指导作用。

提高斜井爆破掘进速度技术研究

井巷工程是采矿工业的先决条件,矿山生产依赖于井巷工程为其提供必需的场所与通道,巷道掘进对于矿山正常运行、可持续开采具有重要意义。为解决金属矿山斜井、巷道等掘进速度慢等问题,将以某金属矿斜井掘进为例,提出采用直眼掏槽方式。将以提高炮眼利用率、加快掘进速度为主要目标,从掏槽方式、炮眼深度、装药等方面研究。经过现场试验表明,巷道掘进循环进尺大幅度提升,炮眼利用率提高,掘进效率大大提高。此次研究对加快巷道掘进速度具有重要的工程意义和经济意义。

光面爆破技术在东秀隧道中的应用

光面爆破是一种可控制开挖轮廓面的爆破技术,通过合理的控制爆破的作用范围及方向,可使爆破后的岩面光滑平整,岩面裂隙少,岩壁稳定性增加,从而实现超挖、欠挖和支护的工作量的减少。本文以荔玉高速3标段东秀隧道为例,通过现场调研分析总结隧道开挖时的问题,及多次光面爆破试验,不断优化爆破参数,总结出了适合于该隧道Ⅳ~Ⅴ围岩的爆破方案。经过试验可以看出光面爆破可以有效的控制超欠挖现象,还在一定程度上保持围岩的相对稳定,为隧道施工及经济效益带来一定的成效。

Spin-Dependent Electroresistance Behaviour of Nd_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3-δ) (0≤δ≤0.20)

Oxygen deficient Nd0.67Sr0.33MnO3-δ ceramic samples were prepared using conventional ceramic technology. A colossal electroresistance (CER) effect was found in Nd0.67Sr0.33MnO3-δ series. The electrical transport is magnetically coupled and spin-dependent over grain or phase boundaries. Electrical-field-induced changes of the spin array orientations inside of and between the magnetic domains by grain or phase boundaries have to be concluded for the strong electroresistive effect in Nd0.67Sr0.33MnO3-δ series.