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具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路
被引量:
3
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作者
L.Dulau
杨进峰(译) 陈燕平(校)
《变流技术与电力牵引》
2006年第5期26-30,39,共6页
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对...
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对所述功能的试验及结果进行阐述,重点介绍双电平关断驱动器的中间电平对IGBT过电压的影响。
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关键词
有源密勒箝位
双极型CMOS
DMOS(BCD)
桥臂贯通
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
过冲
峰值电流
双电平驱动器
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职称材料
题名
具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路
被引量:
3
1
作者
L.Dulau
杨进峰(译) 陈燕平(校)
出处
《变流技术与电力牵引》
2006年第5期26-30,39,共6页
文摘
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对所述功能的试验及结果进行阐述,重点介绍双电平关断驱动器的中间电平对IGBT过电压的影响。
关键词
有源密勒箝位
双极型CMOS
DMOS(BCD)
桥臂贯通
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
过冲
峰值电流
双电平驱动器
Keywords
active Miller clamp
bipolar CMOS DMOS(BCD)
cross conduction
insulated gate bipolar transistor(IGBT)
overshoot
peak current
two-level driver
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路
L.Dulau
杨进峰(译) 陈燕平(校)
《变流技术与电力牵引》
2006
3
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