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沟槽栅IGBT关键技术研究
被引量:
3
1
作者
黄建伟
杨鑫著
+3 位作者
刘根
罗海辉
余伟
谭灿健
《大功率变流技术》
2015年第2期57-61,共5页
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开发了沟槽栅一系列关键工艺:形貌优良的沟槽槽型...
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开发了沟槽栅一系列关键工艺:形貌优良的沟槽槽型,质量完好的栅氧生长工艺以及具备优良均匀性的原位掺杂多晶硅填充工艺等。采用改进工艺后的沟槽栅IGBT芯片具有良好的电学性能,展示出优异的栅氧特性,顺利通过了高温动、静态等多项测试,较平面栅IGBT体现出压降和损耗优势。
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关键词
沟槽栅IGBT
沟槽刻蚀
栅氧生长
多晶硅填充
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职称材料
假栅P区互联对沟槽栅IGBT性能的影响
被引量:
1
2
作者
罗海辉
肖强
+4 位作者
余伟
杨鑫著
谭灿健
黄建伟
刘国友
《机车电传动》
北大核心
2016年第3期41-45,共5页
基于假栅条形元胞设计与200 mm(8英寸)沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与...
基于假栅条形元胞设计与200 mm(8英寸)沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与开关损耗更低、RBSOA能力更强。分析了假栅P区互联方式对器件性能的影响机理。器件采用假栅P区浮空方案,结合场截止与载流子存储技术,具有良好的综合性能,已通过各项验证,即将进行应用考核。
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关键词
沟槽栅IGBT
假栅P区
空穴浓度
安全工作区
关断dV/dt
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职称材料
负载电感对IGBT关断测试的影响
被引量:
3
3
作者
滕渊
覃荣震
+2 位作者
杨鑫著
罗湘
肖强
《大功率变流技术》
2017年第5期51-54,共4页
在IGBT动态测试电路(箝位感性负载电路)中,负载电感的作用是提供一个近似恒定的电流源。通常认为,负载电感只是起续流作用,并不关注其取值对IGBT关断参数的影响。文章通过测试与数值仿真发现,在一定范围内,IGBT的关断参数随负载电感增...
在IGBT动态测试电路(箝位感性负载电路)中,负载电感的作用是提供一个近似恒定的电流源。通常认为,负载电感只是起续流作用,并不关注其取值对IGBT关断参数的影响。文章通过测试与数值仿真发现,在一定范围内,IGBT的关断参数随负载电感增大而增大,且不同类型的IGBT关断参数对负载电感取值的敏感性不同;通过对器件进行物理层面的分析发现,负载电感会影响关断时的电压上升速率,进而影响关断时的空穴电流比例。
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关键词
IGBT
关断特性
负载电感
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职称材料
题名
沟槽栅IGBT关键技术研究
被引量:
3
1
作者
黄建伟
杨鑫著
刘根
罗海辉
余伟
谭灿健
机构
株洲南车时代电气股份有限公司
出处
《大功率变流技术》
2015年第2期57-61,共5页
文摘
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开发了沟槽栅一系列关键工艺:形貌优良的沟槽槽型,质量完好的栅氧生长工艺以及具备优良均匀性的原位掺杂多晶硅填充工艺等。采用改进工艺后的沟槽栅IGBT芯片具有良好的电学性能,展示出优异的栅氧特性,顺利通过了高温动、静态等多项测试,较平面栅IGBT体现出压降和损耗优势。
关键词
沟槽栅IGBT
沟槽刻蚀
栅氧生长
多晶硅填充
Keywords
trench gate IGBT
trench etch
gate oxidation
poly filling
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
假栅P区互联对沟槽栅IGBT性能的影响
被引量:
1
2
作者
罗海辉
肖强
余伟
杨鑫著
谭灿健
黄建伟
刘国友
机构
株洲中车时代电气股份有限公司
出处
《机车电传动》
北大核心
2016年第3期41-45,共5页
文摘
基于假栅条形元胞设计与200 mm(8英寸)沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与开关损耗更低、RBSOA能力更强。分析了假栅P区互联方式对器件性能的影响机理。器件采用假栅P区浮空方案,结合场截止与载流子存储技术,具有良好的综合性能,已通过各项验证,即将进行应用考核。
关键词
沟槽栅IGBT
假栅P区
空穴浓度
安全工作区
关断dV/dt
Keywords
trench IGBT
P-well in dummy trench structure
hole concentration
safe operation area
switching-off dV/dt
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
负载电感对IGBT关断测试的影响
被引量:
3
3
作者
滕渊
覃荣震
杨鑫著
罗湘
肖强
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代电气股份有限公司
出处
《大功率变流技术》
2017年第5期51-54,共4页
基金
国家能源局项目(NY201507)
文摘
在IGBT动态测试电路(箝位感性负载电路)中,负载电感的作用是提供一个近似恒定的电流源。通常认为,负载电感只是起续流作用,并不关注其取值对IGBT关断参数的影响。文章通过测试与数值仿真发现,在一定范围内,IGBT的关断参数随负载电感增大而增大,且不同类型的IGBT关断参数对负载电感取值的敏感性不同;通过对器件进行物理层面的分析发现,负载电感会影响关断时的电压上升速率,进而影响关断时的空穴电流比例。
关键词
IGBT
关断特性
负载电感
Keywords
IGBT
turn-off characteristic
load inductance
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟槽栅IGBT关键技术研究
黄建伟
杨鑫著
刘根
罗海辉
余伟
谭灿健
《大功率变流技术》
2015
3
下载PDF
职称材料
2
假栅P区互联对沟槽栅IGBT性能的影响
罗海辉
肖强
余伟
杨鑫著
谭灿健
黄建伟
刘国友
《机车电传动》
北大核心
2016
1
下载PDF
职称材料
3
负载电感对IGBT关断测试的影响
滕渊
覃荣震
杨鑫著
罗湘
肖强
《大功率变流技术》
2017
3
下载PDF
职称材料
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