温度对CVD制备Ti-Si-C涂层中Ti_3SiC_2形成规律的影响

采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系，低压化学气相共沉积（LPCVD）Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1100~1250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明：1100℃时形成TiC涂层，无Ti3SiC2相；1150~1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为1200℃时，Ti3SiC2晶粒沿×104？方向择优生长，而在1150℃和1250℃沉积时，择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒堆积嵌合结构，当温度为1200~1250℃时，涂层分为两层，内层过渡层为柱状晶结构，主要成分为TiC；外层为TiC相与Ti3SiC2相复合的板条错堆状结构。

包埋-化学气相沉积两步法制备ZrC涂层的结构与抗烧蚀性能

采用先包埋、然后化学气相沉积(CVD)的复合工艺,在石墨材料表面制备ZrC涂层,并对其进行氧乙炔焰烧蚀试验。借助X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析烧蚀前后涂层的微观组织形貌及相组成,研究涂层的抗烧蚀机理。结果表明:包埋-CVD两步法制备的ZrC涂层,包埋层具有双层结构,外层多孔、内层致密;CVD层表面呈凸胞状形貌,为柱状晶结构;包埋多孔层与CVD层相互嵌入,形成机械互锁结构,增强了涂层间的界面结合强度。30 s氧乙炔焰烧蚀试验表明:ZrC涂层具有很好的结构稳定性和良好的抗热震性能;烧蚀产物为单斜型ZrO2,质量烧蚀率和线烧蚀率分别为1.50×10-3 g/s和0.47×10-3 mm/s,涂层具有良好的高温抗烧蚀性能和抗冲刷性能。